Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/Archiv/Elc1979/A19790802Elc003.shtml

Расширять фундаментальные исследования материалов для электроники

США рискуют утратить свою ведущую роль в области микроэлектроники, если не будут создавать новые университетские центры для проведения фундаментальных исследований микроструктуры новых материалов и подготовки новых инженерных и научных кадров в этой области.

К такому выводу пришел Национальный совет по научным исследованиям. Совет рекомендовал создать новые региональные центры в соответствии с направлениями работы предприятия Submicron Facility Корнельского университета, с тем чтобы проводить исследования в таких областях, как создание сверхбольших интегральных схем на электронных и магнитных приборах, субмикронная литография, необходимая для получения рисунка таких схем, и разработка технологии изготовления таких схем. Наблюдающееся сейчас ограничение диапазона научных исследований в университетах, как отмечается в докладе совета, свидетельствует о «разочаровывающей тенденции конкурировать с промышленными исследованиями, вместо того чтобы вести исследования в новых, малоизученных направлениях».

Ссылаясь на программы микроструктурных исследований, проводящиеся в других странах, особенно в Японии, авторы доклада говорят, что университетские ученые США «не должны ограничивать свою задачу лишь экстраполяцией существующей технологии; предполагается, что промышленность в состоянии сама решить эту проблему. Им следовало бы скорее попытаться предвосхитить нужды электроники, которые возникнут по меньшей мере через 10—20 лет, особенно в области изучения физики приборов».

Национальный совет по научным исследованиям, возглавляемый Норманом Айнспрухом из университета в Майами, был составлен в основном из представителей университетов и предприятий полупроводниковой и компьютерной промышленности. Их доклад, содержащий 305 с. и дающий оценку современного состояния полупроводниковой электроники в США, называется «Исследования микроструктуры, производство и технология» и может быть получен от Комитета по исследованиям в области твердого тела, созданного советом при Национальной Академии наук в Вашингтоне.

Предельные возможности. В настоящее время объем памяти монолитных полупроводниковых ЗУ со сложной схемой и минимальной шириной линий менее 1 мкм приближается к цифре 1 млн. бит; совет полагает, что эти цифры близки к «принципиальным пределам для существующих материалов». Схемы с субмикронными размерами, указывает совет, оказываются «в диапазоне, характеризующемся поразительным провалом в понимании свойств сконденсированного вещества — твердого, жидкого или аморфного,— поскольку нельзя с уверенностью экстраполировать ни вверх, от атомных размеров, ни вниз, от размеров объемных твердотельных приборов».

Так, например, существуют трудности идентификации как неконтролируемых, так и имплантированных примесей в схемах с очень малыми размерами. Отсутствует также ясное понимание химических и электронных эффектов на краях, поверхностях и границах раздела тонких пленок.

В соответствии с этим в докладе перечисляются необходимые направления исследований микроструктур и развития технологии. Для усовершенствования технологии изготовления микроэлектронных приборов необходимы дальнейшие исследования процессов формирования и травления тонких пленок, а также взаимодействия электронов, фотонов и ионов с материалами; необходима разработка усовершенствованной аппаратуры для анализа работы приборов с очень малыми размерами. Совет призывает также к более тесному сотрудничеству между университетами и промышленными полупроводниковыми лабораториями, а также к расширению программ исследований и разработки технологических методов в промышленности.

«Наш основной вывод,— говорится в докладе,— состоит в том, что для сохранения ведущей роли США необходим высокий уровень активности в области исследований дальнего прицела, непосредственно связанных с технологией изготовления интегральных схем» [pp. 42, 43].

Рэй Конноли

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 52, No.16 (568), 1979г - пер. с англ. М.: Мир, 1979, стр.5

Electronics Vol.52 No.16 August 02, 1979 A McGraw-Hill Publication

Раздел: ОБОЗРЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Тема:     Научные исследования




<<< Пред. Оглавление
Начало раздела
След. >>>

Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/Archiv/Elc1979/A19790802Elc003.shtml