Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/Archiv/Elc1979/D19790104Elc072.shtml

Изменения в регенерации динамических ЗУ

Первым существенным достижением на пути сокращения стоимости МОП ЗУ с произвольной выборкой стала разработка памяти динамического типа, в которой уровни логического 0 и логической 1 представляются в виде высокого и низкого напряжений на конденсаторе. Однако заряд, хранящийся на конденсаторе, в конце концов стекает, поэтому для создания работоспособного устройства памяти информацию необходимо успевать считывать и восстанавливать раньше того момента, когда она будет потеряна.

Первоначально в качестве средства хранения информации в динамических ЗУПВ применялись трехтранзисторные элементы с запоминающим конденсатором. Следующим крупным достижением стало создание однотранзис-торного запоминающего элемента. (На разработку одно-транзисторного элемента после появления трехтранзис-торного потребовалось три года, главным образом ввиду отсутствия усилителя считывания, который мог бы обрабатывать сигналы величиной несколько десятков милливольт» поступающие с матрицы памяти ЗУ.) Этот элемент состоит из одного транзистора и одного конденсатора и занимает в два с лишним раза меньшую площадь, чем трехтранзисторный. В такой конструкции матрица памяти не содержит, как в прежних МОП ЗУ, усилителя в составе каждого из запоминающих элементов. Это позволило создать ЗУ информационной емкостью 4096 бит/кристалл и вместе с тем потребовало выполнения 64 циклов регенерации каждые 2 мс.

Создание динамических ЗУПВ с произвольной выборкой емкостью 16К и 64К бит потребовало целого ряда серьезных усовершенствований. Применение более совершенных буферов ввода-вывода, тактовых генераторов, усилителей считывания и т.д. позволило упростить схемы обслуживающей электроники и повысить их рабочие характеристики. Такие технологические улучшения, как ионная имплантация, многоуровневый поликремний и т.д., обеспечили сокращение площади кристалла. Кроме того, усовершенствования методов фотолитографии, например изготовление фотошаблонов электронно-лучевым методом и проекционное совмещение рисунков, позволили в 64 раза повысить плотность упаковки запоминающих элементов на единицу площади кристалла. Оба показанных на рисунке графика в ближайшие несколько лет должны сместиться влево, так что вполне возможно, что площадь кристалла 64К-бит ЗУПВ будет всего вдвое больше площади приборов емкостью 1К бит.

В 16К-бит динамическом МОП ЗУПВ количество циклов регенерации составило уже 128 на каждые 2 мс, т.е. вдвое превысило соответствующую величину для 4К-бит приборов. Количество же циклов регенерации для новых 64К-бит ЗУПВ пока еще твердо не установлено.

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 52, No.01 (553), 1979г - пер. с англ. М.: Мир, 1979, стр.81

Electronics Vol.52 No.1 January 4, 1979 A McGraw-Hill Publication

Раздел: МЕТОДЫ, СХЕМЫ, АППАРАТУРА

Тема:     Запоминающие устройства




<<< Пред. Оглавление
Начало раздела
След. >>>

Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/Archiv/Elc1979/D19790104Elc072.shtml