Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/Archiv/Elc1979/M19790830Elc061.shtml

Обзор наиболее интересных работ

— На пленарное заседание, посвященное открытию конференции, представлены доклады об успехах и перспективах развития техники транзисторов со статической индукцией, электронно-лучевой технологии изготовления МОП-приборов, о технологии СБИС и об успехах полупроводниковой лазерной техники.

— В программу заседания А-1, посвященного передовым методам литографии, включен доклад о проекционной системе электронной литографии с уменьшением изображений.

— На заседание В-1 по арсенид-галлиевым интегральным схемам представлены работы, посвященные маломощным и быстродействующим GaAs МОП-транзисторам,быстродействующим металлизированным GaAs полевымтранзисторам, работающим в режиме обогащения, обогащенным GaAs полевым транзисторам для интегральныхсхем и мощным GaAs МЕП-транзисторам с плавно углубляющейся структурой.

— В программе заседания С-2 по переходам Джозефсона предусмотрен доклад о методе изготовления слабо связанных переходов Джозефсона (Josephson weak links) с помощью электронно-лучевой литографии и ионного травления и доклад о новой разновидности «квантовой» логики (single-flux quantum logic).

— На заседание А-3, посвященное лазерному отжигу и К/МОП-приборам на сапфировых подложках, представлены доклады о механизме лазерного отжига, о МОП-транзисторах с коротким каналом, а также доклад под названием «Готова ли технология К/МОП-схем на сапфировых подложках стать технологией СБИС?»

— На заседании В-3, посвященном лазерам, рассматриваются вопросы преобразования мод в полупроводниковых лазерах и создания гетероэпитаксиальных приборовдля оптоэлектроники.

— В программу заседания А-5, посвященного приборам памяти, входят доклады о биполярном динамическом ЗУ с произвольной выборкой, об анализе и расчетеизолированного конусообразным окислом МОП-транзистора с динамическим пороговым напряжением, предназначенного для сверхбольших динамических ЗУПВ, и о быстродействующем энергонезависимом К/МОП ЗУПВ с аварийными МНОП-приборами.

— На заседание А-4, посвященное БИС. представлены доклады о быстродействующем Шоттки/ТТЛ программируемом ПЗУ емкостью 4К, изготовленном с применением диффузионной технологии формирования алюминиевой эвтектики, о новой транзисторной структуре для быстродействующих биполярных БИС, об однокоистальном синтезаторе речи для кодека типа Рагсог, о СБИС на целых кремниевых пластинах с адаптивной организацией и обазовом К/МОП-кристалле на 3000 логических вентилей.

— В программу заседания В-6 по солнечным элементам и приборам на аморфных полупроводниках входятдоклады о солнечных элементах с МОП-структурой, выполненных на поликристаллическом кремнии, о новом типе высоковольтных фотоэлектрических элементов на поликристаллическом кремнии, о приборах регистрации изображений на аморфном кремнии и о записи видеосигналов с высокой плотностью на новый тонкопленочныйаморфный халькогенидный материал1{Электроника, 1979, №15, «Электроника за рубежом»}.

Родительская статья:

Токийская международная конференция по твердотельным приборам: обзор основных направлений

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 52, No.18 (570), 1979г - пер. с англ. М.: Мир, 1979, стр.100

Electronics Vol.52 No.18 August 30, 1979 A McGraw-Hill Publication

Раздел: СООБЩЕНИЯ

Тема:     Электроника за рубежом




<<< Пред. Оглавление
Начало раздела
След. >>>

Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/Archiv/Elc1979/M19790830Elc061.shtml