Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/Archiv/Elc1990/X19900125Elc065.shtml

Время фотолитографии е использованием дальнего УФ-излучения еще не наступило

Дейвид Малиньяк
Редакция Electronics

Теперь, когда фирма Perkin-Elmer Corp. Меномони-Фолс, шт.Висконин) продается и ее, быть может, купят японцы, складывается интересная ситуация с технологией производства СБИС в США и Японии. В то время как изготовители оборудования в обеих страна. прикладывают усилия к тому, чтобы перейти на следующий уровень технологии, японские изготовители ИС, возможно, ждали уже слишком долго перехода на тот промежуточный этап, которые воспользовались многие американские фирмы. В результате американские изготовители ИС неожиданно мор т оказаться впереди.

В 1985г. проектные нормы в 1 мкм считались наилучшими для производства перспективных СБИС. Предсказывалось, что пределом разрешающей способюсти оптической литографии будет 0,5 мкм. В настоящее время, однако, производство переходит от литографии, использующей G-линию спектра (источники экспонирования с осветителем, имеющим длину волны 436 нм), к 1-линии (длина волны осветителя, равная 365 нм).

Этот новый уровень минимальных размеров в СБИС является результатом успехов в области химии полимеров и оптики. В настоящее время химики считают, что они могут достичь предела, равного 0,25 мкм. Однако они не дают никаких обещаний, так как теоретически ширина линий не может быть меньше длины волны источника экспонирования (I-линии), равной 365 нм или 0,36 мкм. Следующий уровень — это источник экспонирования, работающий в дальней области спектра УФ-излучения (с длиной волны, равной 254 нм). Теоретически это позволяет получать линии и зазоры между ними шириной около 0,25 мкм, но практически новая технология сможет быть реализована лишь через год или два.

Очевидно, японские изготовители рассчитывают с освоением 0,25-мкм технологии получить следующее поколение СБИС, плотность упаковки которых выше, чем у СБИС, изготовленных по 0,5 мкм технологии при работе с I-линией. Японские фирмы сделали значительные капиталовложения в работы по использованию дальнего УФ-излучения (ДУФИ), субсидируя разработки соответствующих установок пошагового экспонирования и совмещения, лазерных источников освещения и фоторезистов. Тем временем работы со спектральной линией длиной 0,365 нм (I-линией) оказались неожиданно успешными и обрели новую жизнь. По существу эти работы списали со счета слишком рано. Японские изготовители ИС посчитали, что работы с I-линией будут непрактичными, так как они ограничены минимальными размерами 0,5 мкм. В то же время фотолитографию с использованием ДУФИ оказалось разработать труднее, чем полагали ранее.

Одновременно со своей деятельностью, направленной на внедрение ДУФИ, японские специалисты попытались удержать ведущие позиции в технологии, совершенствуя оптику и стараясь довести до предела возможности литографии, использующей длину волны 436 нм (G-линия спектра). Действительно, на этой длине волны им удалось превзойти ожидаемые результаты и получить ИС с гораздо меньшими размерами, чем в США. Но поскольку американским фирмам не удалось получить, работая на G-линии, столь малые размеры, как японцам, они выбрали в качестве жизнеспособной стратегии в области субмикронной литографии более постепенный переход к 1-линии (0,365 мкм) и в результате несколько вырвались вперед. Задача теперь в том, чтобы продвинуться, работая с I-линией, как можно дальше, пока не станет реальной возможность использования ДУФИ и пока японцы не переключатся на работу с 1-линией.

Но японские изготовители уже начали действовать. Фирма Nikon, расположенная в Сан-Бруно, шт.Калифорния, и являющаяся филиалом японской компании, выпустила в продажу установку пошагового экспонирования и совмещения NSR-1755i7A, работающую на длине волны 0,365 мкм. Согласно утверждению представителей фирмы, эта установка позволяет экспонировать самую большую площадь (17,5*17,5 мм) по сравнению с другими подобными установками, работающими на той же длине волны, и обеспечивает в промышленных условиях разрешающую способность 0,58 мкм. Европейские фирмы также начинают работать с длиной волны, равной 0,365 мкм. Фирма ASM Litography (Темпе, шт.Аризона), принадлежащая голландскому концерну Philips выпустила работающую с использованием 1-линии спектра установку пошагового экспонирования и совмещения PAS 5000/50. Новая установка обеспечивает разрешающую способность, равную 0,5 мкм, в промышленных и 0,35 мкм в лабораторных условиях. Фирма ведет также разработку для использования ДУФИ.

Среди американских изготовителей компания Perkin-Elmer разрабатывает установку пошагового экспонирования, работающую в области ДУФИ. Фирма GCA (Андовер, шт.Массачусетс) поставляет установку AutoStep 200, работающую на длине волны 0,365 мкм, и работает над установкой, использующей ДУФИ. Консорциум Sematech (Остин, шт.Техас) концентрирует свои усилия на разработке процесса литографии с длиной волны 0,365 мкм. Консорциум планирует передать входящим в него фирмам технологический процесс, уверенно обеспечивающий 0,5 мкм к 1991г.

Фирма KTI Chemicals (Саннивейл, шт.Калифорния), являющаяся филиалом компаний Union Carbide, уже предлагает свой фоторезист 895i, рассчитанный на длину волны 0,365 мкм. Представители фирмы считают, что правильный путь связан со ставкой на эту длину волны, так как для перехода на ДУФИ потребуются крупные капиталовложения в оборудование. Но на всякий случай фирмой KTI ведутся работы над созданием фоторезиста, предназначенного для работы в области ДУФИ [ED, 1990, No.2, р.14].

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 63, No.03 (832), 1990г - пер. с англ. М.: Мир, 1990, стр.101

Electronics Design Vol.38 No.1 January 11, 1990 A Penton Publication

Electronics Design Vol.38 No.2 January 25, 1990 A Penton Publication

Раздел: РАЗНОЕ

Тема:     Актуальные вопросы развития науки и техники





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:55 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/Archiv/Elc1990/X19900125Elc065.shtml