Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/Archiv/Elc1991/D19910228Elc011.shtml

Первое представление советской полупроводниковой технологии

На МКИС-91 организована специальная секция, на которой будет рассматриваться состояние полупроводниковой технологии в Советском Союзе (см. в этом номере «Актуальные вопросы развития техники). В двух докладах по цифровой технике, которые сделают сотрудники НПО «Научный центр» (Москва), описываются оригинальное энергонезависимое статическое ЗУПВ (СЗУПВ), представляющее собой сочетание 4-кбит СЗУПВ и 16-кбит ЭСППЗУ, и пара ЭСППЗУ с параллельным стиранием емкостью 256 кбит и 1 Мбит. Микросхема энергонезависимого СЗУПВ выглядит для разработчиков систем как память с организацией 4К слов*1 бит с временем выборки от 70 до 100 нс и с рабочим температурным диапазоном от —65 до +85°С. Данные из секции ЗУПВ прибора могут дублироваться в одной из четырех страниц памяти ЭСППЗУ с организацией 4К*4 бит. Номер нужной страницы выбирается при помощи двухразрядного кода, который поступает на адресные линии A10 и A11 прибора.

На выборку данных из нужной страницы ЭСППЗУ затрачивается приблизительно 5 мке, а на запись в нее — около 10 мс. Дифференциальные ЭСППЗУ-элементы строятся на основе технологии нитрида кремния и окисно-нитридного диэлектрика в запоминающих элементах. Чтобы получить малые времена выборки, триггерный запоминающий элемент СЗУПВ сделан двухфункциональным: в процессе обращения к энергонезависимой памяти он превращается в чувствительный усилитель, что способствует повышению скорости выборки. Ток питания прибора памяти в режиме обращения составляет около 120 мА, а в режиме хранения — 35 мА.

В обоих ЭСППЗУ с параллельным стиранием, 32К*8 бит и 128К*8 бит, применяется запоминающий элемент, разработанный в Научном центре. Структурно он представляет тонкий слой двуокиси кремния над канальной областью транзистора. Этот слой в свою очередь покрывается более толстым слоем нитрида кремния. В результате однотранзистор-ные запоминающие элементы ЭСППЗУ, изготавливаемые с 2,5-мкм проектными нормами в 32-кбайт кристалле и с 2,0-мкм нормами в 128-кбайт ЗУ, получаются очень компактными, они занимают площадь всего 47 и 27 мкм2 соответственно. Благодаря этому площади кристаллов составляют 46 и 60,5 мм — а это очень близко к показателям, характерным для приборов памяти, которые строятся с использованием двухтранзисторных запоминающих элементов и гораздо более жестких проектных норм.

В отличие от большинства запоминающих элементов со структурой металл-нитрид-окисел-полупроводник (МНОП) советские разработчики приняли для обоих логических состояний запоминающих элементов положительные значения пороговых напряжений (1,5 и 3,5 В). Для управления каждым элементом используются импульсы положительной полярности. Правда, для реализации режимов программирования и стирания требуется внешний 24-В источник питания. Прибор предусматривает три режима стирания — полное групповое стирание за один цикл, стирание одного 256-байт блока (или 512-байт блока для 1-Мбит прибора) или одной строки (32 или 64 байт соответственно) — причем в каждом режиме для стирания требуется 10 с. Время выборки при чтении составляет для 256-кбит прибора 350 не, а для 1-Мбит прибора — 700 не. Как и большинство ЭСППЗУ с параллельным стиранием, выпускаемых в США, советские приборы имеют гарантированное число циклов программирования от 103 до 104. Приборы предусматривают также несколько специальных режимов управления, которые, как заявляют разработчики, могут увеличить число циклов программирования и ускорить выполнение операций записи и стирания.

Родительская статья:

Цифровая техника

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 64, No.03 (856), 1991г - пер. с англ. М.: Мир, 1991, стр.25

Electronics Design Vol.39 No.01 January 10, 1991 A Penton Publication

Electronics Design Vol.39 No.03 February 14, 1991 A Penton Publication

Раздел: МЕТОДЫ, СХЕМЫ, АППАРАТУРА

Тема:     МКИС-91





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:55 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/Archiv/Elc1991/D19910228Elc011.shtml