Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/Archiv/Elc1991/X19910228Elc175.shtml

В фокусе внимания — советская технология

Дейв Бёрски
Редакция Electronics

В программу Международной конференции по интегральным схемам (МКИС) этого года включено специальное заседание по полупроводниковой технологии в Советском Союзе, где можно будет познакомиться с некоторыми редкими данными о производственном, научно-исследовательском и конструкторском потенциале СССР в данной области. Обзор состояния микроэлектроники в СССР, подготовленный проф. Ричардом Джеггером из Обернского университета (Оберн, шт.Алабама), познакомит аудиторию с впечатлениями американской научной делегации, посетившей в конце 1990 г. целый ряд предприятий. Делегация увидела, что советские исследователи активно работают как с кремнием, так и с полупроводниковыми соединениями, причем многие исследования находятся на современном уровне. Однако производство, по-видимому, отстает от западной промышленности на 3—5 лет.

Как сообщает Джеггер, наиболее современная производственная линия только вступает в строй. Речь идет об оборудовании для массового производства динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит по 0,9-мкм технологии. Большинство других линий по изготовлению кремниевых приборов все еще рассчитаны на 1,5- и 2-мкм технологии. Но некоторые предприятия, работающие с материалами типа AIIIBV, утверждают, что смогут получать субмикронные минимальные размеры.

Из-за ограничений, налагаемых на импорт, советские специалисты вынуждены сами создавать почти все производственное оборудование, в том числе и наиболее ответственную его часть — литографические установки с последовательным шаговым экспонированием. Их установки, характеризующиеся минимальными размерами элементов 1 мкм, погрешностью 0,1 мкм и точностью измерений 0,02 мкм, действительно обладают некоторыми преимуществами перед другими выпускаемыми промышленностью системами по технико-экономическим показателям. Потребность в коротком производственном цикле для небольших партий заказных ИС в СССР представляется столь же важной, как и в остальном мире. С этими целями в Научном центре (Москва) было создано полностью автоматизированное опытное производство. Модульная линия, установленная здесь, занимает площадь около 200 м2, потребляет примерно 100 кВА и обслуживается 10 операторами. Эта линия производит микросхемы (из кремния, арсенида галлия и других сложных полупроводников), начиная от простых МОП-схем и кончая БиКМОП-структурами и интегральными датчиками с расположенными на кристалле микропроцессорами.

На каждом из почти 30 производственных модулей линии, герметизированных в соответствии с требованиями на окружающую среду класса 1, имеется миниатюрный реактор, где выполняется несколько связанных процессов. Для обеспечения однородности и воспроизводимости используется лазерный и электронно-лучевой контроль поступающих полупроводниковых пластин, а благодаря суперочистке и сушке каждой пластины уменьшается число частиц. Пластины перемещаются конвейерной лентой, а в миниатюрных реакторах проводится индивидуальная обработка пластин. Обработка одновременно только одной пластины уменьшает количество расходуемых при производстве реагентов и газов. Но обычно на полупроводниковых пластинах размещается лишь одна СБИС, так что операции скрайбирования и разламывания оказываются ненужными. Линия рассчитана на обработку пластин диаметром до 200 мм с максимальной площадью микросхемы 200 мм2 на каждой пластине. Производительность данной технологической линии составляет от 5 до 10 микросхем в час, полное время цикла (от базы данных САПР до готового изделия в кремнии) лежит в пределах от 10 до 90 ч и более.

При транспортировке от модуля к модулю полупроводниковые пластины находятся в герметизированных камерах, позволяющих защитить их от загрязнений из среды, соответствующей классу 1000. Использование герметизированных контейнеров дает экономию средств при создании общего рабочего участка с чистотой среды, соответствующей классу 1. Благодаря регулированию параметров окружающей среды в каждом модуле воспроизводимость технологической обработки в каждом модуле получается не хуже 0,2% (от пластины к пластине).

В настоящее время советские ученые разрабатывают модуль рентгеновской литографии. Все технологические ступени, реализуемые в этой литографической системе, автоматизированы — от процесса автоматизированного проектирования микросхемы до обработки полупроводниковой пластины и герметизации прибора. Уровни же управления могут быть различными — от местного автономного управления в пределах конкретного модуля до программного управления, осуществляемого центральным процессором [ED, 1991, No.3, с.18].

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 64, No.03 (856), 1991г - пер. с англ. М.: Мир, 1991, стр.94

Electronics Design Vol.39 No.01 January 10, 1991 A Penton Publication

Electronics Design Vol.39 No.03 February 14, 1991 A Penton Publication

Раздел: РАЗНОЕ

Тема:     Актуальные вопросы развития науки и техники





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:55 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/Archiv/Elc1991/X19910228Elc175.shtml