Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/AMD/A19840126Elc007.shtml

Технология СБИС с тремя уровнями межсоединений

Пропорциональная миниатюризация ИС позволяет улучшить их рабочие характеристики — когда структуры расположены ближе друг к другу, перемещение электронов и дырок между ними занимает меньше времени. Однако предельные возможности миниатюризации ограничиваются тем, что на кристалле уже не остается места для размещения металлических межсоединений.

В качестве решения проблемы фирма Advanced Micro Devices (Саннивейл, шт.Калифорния) предложила свою новую биполярную технологию СБИС с окисной изоляцией под названием IMOX-S1{Электроника, 1984, №1, «Последние новости»}. «Уменьшив минимальный размер элементов с 3 до 1,5 мкм, мы обнаружили, что не хватает места для межсоединений даже при использовании двухуровневой металлизации»,— говорит Фил Даунинг, вице-президент фирмы по технологии.

Задачу удалось решить, добавив третий уровень внутрисхемных соединений. «При использовании какой-либо другой биполярной технологии это могло бы оказаться затруднительным, — говорит Даунинг. — Но поскольку в нашей технологии IMOX используется планарный окисел, имеется хорошая поверхность для нанесения третьего уровня металлизации».

В марте фирма AMD выпустит первое изделие, изготовленное по новой технологии — Am29516, — миниатюризованную и более быстродействующую модификацию умножителя 16*16, модель 29516 той же фирмы. Благодаря использованию IMOX-S-технологии площадь прибора была уменьшена с 35 до 22 мм2, а время умножения с 65 до 45 нс.

Другие изменения. В технологии IMOX-S используются такие процессы, как сухое травление, эпитаксиальное осаждение при низком давлении и фотолитография с пошаговым репродуцированием. «Все эти изменения в технологии были необходимы для того, чтобы максимально реализовать преимущества нашей конструкции и получить хорошие приборы с минимальным размером элементов 1,5 мкм», — говорит Даунинг.

«Благодаря сухому травлению удается выдерживать размеры элементов очень близко к размерам изображения в фоторезисте, а эпитаксиальное осаждение при низком давлении обеспечивает более высокую точность получения слоев и дает более точный рисунок на поверхности. Благодаря этому повышается точность совмещения, и в результате удается выдержать требуемые жесткие допуски». Шаговые повторители наносят рисунок на пластину без каких-либо искажений и с хорошей воспроизводимостью.

Пропорциональная миниатюризация. Новая технология биполярных СБИС с трехуровневой металлизацией, разработанная фирмой Advanced Micro Devices, позволяе
Пропорциональная миниатюризация. Новая технология биполярных СБИС с трехуровневой металлизацией, разработанная фирмой Advanced Micro Devices, позволяет решить проблему увеличения плотности упаковки. На фото показаны умножитель, изготовленный по технологии IMOX, и его уменьшенная копия, созданная по технологии IMOX-S.

В 1984г. будут выпущены также и другие СБИС, изготовленные по IMOX-S-технологии. В их число входят 16-бит микропроцессор Am29116A, в котором задержка распространения будет уменьшена с 80 до 60 нс; процессорная секция Am2901D, в которой задержка распространения снижена с 37 до 28 нс, а также несколько биполярных ППЗУ с аналогичным быстродействием [p.52].

Стивен Филдс

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 57, No.02 (683), 1984г - пер. с англ. М.: Мир, 1984, стр.10

Electronics Vol.57 No.02 January 26, 1984 A McGraw-Hill Publication

Раздел: ОБОЗРЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Тема:     Интегральные схемы





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/AMD/A19840126Elc007.shtml