Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/HP/D19830922Elc039.shtml

Мощный личный компьютер на основе комплекта плотноупакованных n-канальных МОП СБИС

УДК 681.3:621.3.049.77

Дана Секкомб (Dana Seccombe)
Фирма Hewlett-Packard Co. (Форт-Коллинс, шт.Колорадо)

Джо Бейерс (Joe Beyers)
Фирма Hewlett-Packard Co. (Форт-Коллинс, шт.Колорадо)

Джин Целлер (Gene Zeller)
Фирма Hewlett-Packard Co. (Форт-Коллинс, шт.Колорадо)

Dana Seccombe, Joe Beyers, Gene Zeller. Personal mainframe's design shaped dense n-MOS technology, pp. 165—169.

Описана конструкция высокопроизводительного личного компьютера, по существу представляющего собой рабочую станцию автоматизированного конструирования. При его создании были заново разработаны весь комплект кристаллов СБИС, технология их изготовления, технология монтажа, конструктивное оформление машины и развитые средства тестирования.

Разработчикам кристаллов ИС обычно приходится в своей работе принимать компромиссные конструкторские и топологические решения, связанные с ограничениями существующих технологических процессов изготовления интегральных схем. А конструкторы вычислительных систем часто вынуждены довольствоваться тем, что могут придумать и предоставить в их распоряжение разработчики кристаллов, т.е. типовыми серийными кристаллами, не говоря уже о типовых методах формирования межсхемных и межплатных соединений, типовых средствах тестирования и типовых конструктивных оформлениях компонентов и подсистем.

Однако конструкторы семейства компьютеров HP9000 компании Hewlett Packard Co. (рис.1) были поставлены в совершенно иные условия: разработчики кристаллов ИС получили в свое распоряжение технологию, приспособленную к потребностям конструкторов ЭВМ. И те и другие специалисты получили возможность сотрудничать в разработке архитектуры кристаллов ИС, а сами конструкторы систем — возможность разработать наиболее подходящие типы межсоединений, конструктивное оформление, а также методы и схемы тестирования.

Вся машина HP9000, по обрабатывающим возможностям не уступающая некоторым большим ЭВМ, помещается на рабочем столе инженера. Столь малые габариты маши
Рис.1. Вся машина HP9000, по обрабатывающим возможностям не уступающая некоторым большим ЭВМ, помещается на рабочем столе инженера. Столь малые габариты машины получены благодаря применению в ней совершенно нового комплекта кристаллов СБИС с очень высокой плотностью упаковки.

Цель всей работы состояла в создании высокопроизводительной, надежной и недорогой настольной компьютерной системы для научных и инженерных расчетов (см. «Семейство рабочих станций автоматизированного конструирования, выполненное по совершенно новой технологии»). Подобная система должна иметь высокую вычислительную мощность, а ее память, центральный процессор и периферийные устройства ВВ должны допускать достаточно простое расширение. Для компактности и надежности необходимо, чтобы система состояла из относительно небольшого числа компонентов. Для выполнения всех этих требований понадобилась невиданная ранее плотность упаковки приборов и схем — от 400 тыс. до 600 тыс. транзисторов на один кристалл.

Конструкторы системы, которые имели возможность разрабатывать машину HP9000 практически без ограничений, заложили в нее ряд совершенно иных технических решений по сравнению с любыми другими системами, которые они могли бы спроектировать на основе стандартных серийных деталей. В рамках проекта было заново разработано почти все: технология изготовления ИС, сами кристаллы и конструктивное оформление системы. В состав комплекта из пяти СБИС, на котором построена система, входят блок центрального процессора, процессор ВВ, контроллер памяти, ЗУПВ емкостью 128К байт и блок системной синхронизации.

Пятикристальный комплект

32-разрядный центральный процессор, представляющий собой кристалл на 450 тыс. транзисторов, является основой компьютера HP9000. Его «обслуживают» четыре других вспомогательных кристалла СБИС, разработанные специально для этой цели. Кристалл ЦП размером 6,4*6,4 мм, для управления которым используется 9000 38-бит слов микрокодированных инструкций, выполняет 230 машинных команд. Его тактовая частота 18 МГц обеспечивает цикл выполнения микрокоманды, равный 55 нс. Связь кристалла ЦП с панелью компьютера осуществляется со скоростью 36 Мбайт/с. В ЦП предусмотрены самотестирование при включении питания и весь набор арифметических операций с плавающей точкой, оговоренный стандартом ИИЭР. Кристалл работает со многими форматами арифметических и строковых данных.

Рассматриваемый кристалл ЦП может служить типичным примером тому, сколь широкие возможности доступны для СБИС с высокой плотностью упаковки. В его состав входит 31 32-разрядный регистр; эти регистры используются для обработки машинных инструкций, в качестве регистров данных общего назначения и для хранения системных адресов и состояний. ЦП содержит также быстродействующее арифметиче-ско-логическое устройство, выполняющее большой набор одноступенчатых 32-разрядных арифметических и логических операций и операций сдвига. АЛУ может выполнить сдвиг 32-бит числа вправо или влево на любое число разрядов от 0 до 31 за один 55-нс тактовый цикл и выполнить сложение 32-бит целых чисел тоже за 55 нс.

Связь между регистровыми блоками и АЛУ осуществляется по двум внутренним 32-разрядным шинам (А и В), а управляются регистры и АЛУ выходными термами большой программируемой логической матрицы. Эта ПЛМ воспринимает 38-разрядные слова из управляющей постоянной памяти и выдает сигналы на 250 линий, которые управляют аппаратным регистровым стеком. Все внутренние операции в кристалле ЦП задаются микромашиной, вызываемой контроллером последовательности (sequencer). Данный контроллер управляет передачей микрокодов в ПЛМ и обрабатывает специальные сигналы прерывания или управления.

Первый вспомогательный кристалл — процессор ВВ на 240 тыс. транзисторов — тоже работает под микропрограммным управлением. Он организует протокол прямого поканального доступа к памяти для (в общей сложности) восьми каналов при полной скорости ВВ до 5,6 Мбайт/с. Для многих операций ВВ процессор ВВ может работать независимо от ЦП.

Кристалл управления памятью выполняет функцию буфера между быстродействующей шиной объединительной панели и кристаллами памяти. Он выполняет обнаружение и исправление ошибок, выравнивание и совмещение байтов, а также преобразование логических адресов в физические; хранит информацию о свободных адресах памяти и выполняет самотестирование и тестирование других кристаллов памяти при включении питания системы.

Кристалл основного ЗУПВ емкостью 128К компьютера HP9000 представляет собой ЗУПВ на четырехтранзисторных запоминающих элементах и содержит более 600 тыс. транзисторов. В этом кристалле памяти используется специальный метод доступа с наложением, который обеспечивает время выборки 165 нс при 110 нс цикле. При изготовлении кристалла применено резервирование, которое позволяет получать исключительно высокий выход годных.

Для работы в тех же самых условиях было спроектировано специальное ПЗУ емкостью 640К с организацией 16К*40 бит, однако этот кристалл не был использован в компьютере HP9000. Его рабочие характеристики идентичны характеристикам кристалла ЗУПВ, а для хранения данных в нем применяется код Хэмминга.

Проектирование всех этих кристаллов, каждый из которых содержит до 15 млн. прямоугольных фигур, определяющих транзисторы и их межсоединения, представляло собой чрезвычайно сложную задачу. Применение стандартных компоновочных решений и многократное использование однотипных элементов позволили уменьшить общее время разработки и повысить однородность системы.

Производительность любого компьютера зависит от общего количества входящих в него транзисторов, энергии, затрачиваемой на каждое логическое переключение, средней длины межсоединений и доступного уровня плотности рассеиваемой мощности. Технологический процесс n-МОП III изготовления СБИС, разработанный фирмой Hewlett-Packard, позволил увеличить суммарное количество транзисторов в системе, а также уменьшить энергию, затрачиваемую на логическое переключение, и среднюю длину межсоединений. Новая технология монтажа фирмы HP обеспечила дополнительное уменьшение длины межсоединений и увеличение плотности мощности.

Благодаря этим усовершенствованиям разработчикам системы удалось решить поставленные перед ними задачи. И именно потому, что им приходилось чрезвычайно тщательно и внимательно прорабатывать архитектуру системы, конструкцию схем, методы монтажа и сборки и технологию ИС, они смогли получить ряд довольно интересных технических решений. Например, фторопластовый диэлектрик в подложках-радиаторах (как они называются) уменьшает паразитные емкости и позволяет кристаллам, содержащим более 100 внешних выводов, работать с высокой скоростью на длинные шины объединительной панели. Некоторые из кристаллов системы содержат по 40 контактов, через которые они переключают емкостные нагрузки по 50 пФ с перепадом напряжения 5 В за 3 нc. При этом максимальные токи по шине заземления достигают 4 А, а максимальные скорости нарастания токов dl/dt—1,3*109 А/с. Такие большие токи и скорости их нарастания потребовали (в числе прочих причин) применения гибридных корпусов, а также многослойных низкоомных металлических межсоединений на самих кристаллах.

Кроме того, универсальность системной шины позволила организовать ее работу в синхронном режиме с предзарядом и тем самым обеспечить высокое быстродействие. Обычно такие шины делаются асинхронными и предусматривают применение сигналов установления связи. Тщательная проработка разделения системы на отдельные кристаллы позволила получить ее оптимальное быстродействие и снизить стоимость.

При разработке технологии ИС для компьютера HP9000 ставилась задача получить минимальный размер линий 1,5 мкм, а промежутков — 1 мкм. Точный контроль этих размеров был нужен для того, чтобы не получить слишком малые длины каналов транзисторов, которые отрицательно влияют на их характеристики. Характеристики транзисторов были оптимизированы путем имплантации примеси в каналы, позволившей максимально повысить напряжение сквозного обеднения и получить нужные пороговые напряжения. Для уменьшения паразитного влияния напряжения смещения подложки на пороговое напряжение глубина имплантации примеси была сделана достаточно малой, такой, чтобы вся эта примесь целиком помещалась в обедненной области под затвором уже при нулевом смещении.

Характеристики технологии

Необходимо было также получить минимально возможные емкости перекрытия затвор-исток и затвор-сток. Эта задача тоже была решена — посредством формирования неглубоких имплантированных областей истока и стока, самосовмещенных с затворным электродом. С помощью специальной технологии, позволяющей снизить требования к точности совмещения, были получены самосовмещенные контакты между поликремниевыми соединительными линиями и областями истока-стока. Для достижения более высокого выхода годных (путем уменьшения количества коротких замыканий через затворный окисел) толщина затворного окисла была выбрана достаточно большой — 40 нм.

Специалисты-технологи компании HP используют при изготовлении СБИС высокосовершенную, однако уже имеющуюся в свободной продаже проекционную установку непосредственного пошагового репродуцирования с 10-кратным уменьшением, DSW4800. Они дополнительно улучшили эту систему, подробно исследовав ее оптические искажения и ошибки совмещения. С помощью настольного компьютера HP9836, сопряженного с этой проекционной установкой, технологи осуществляют непрерывный контроль и компенсацию погрешностей, снижая их до очень малых величин (рис.2,а). Данные меры в сочетании с тщательным контролем характеристик фоторезиста позволили обеспечить точность ширины линий в пределах ±0,25 мкм и точность совмещения ±0,35 мкм в течение примерно 95% всего времени работы установки (рис.2,б). Технологический процесс компании HP позволил получить такие проектные нормы, при которых плотность упаковки схем превысила уже достигнутый уровень для существующих высококачественных литографических процессов с 1-мкм минимальными размерами. В этой технологии контакт к затвору выполняется не на боковом участке, как обычно, а непосредственно на его поверхности, что дает двукратное увеличение средней плотности упаковки транзисторов без снижения выхода годных и надежных компонентов.


Рис.2. Благодаря точному контролю литографических процессов в технологии n-МОП III предотвращается паразитное влияние эффектов короткого канала. Слева показано распределение погрешности совмещения для проекционной установки непосредственного пошагового репродуцирования, справа — гистограммы ширины 1,5-мкм поликремниевых линий и 2,0-мкм областей каналов.

Как и все остальные схемы, схемы кристалла ЦП работают с тактовой частотой 18 МГц при двух неперекрывающихся тактовых фазах. Соединение приборов друг с другом, а также разводка логических сигналов, общих для кристалла питающих напряжений и тактовых сигналов,— все это представляло собой весьма сложную задачу. О поликремниевых межсоединениях речь шла из-за присущих им значительных RC-задержек. Поэтому были использованы металлические межсоединения, двухуровневая структура которых дала возможность получить простую и вместе с тем плотноупакованную топологию кристаллов.

Для первых слоев металлизации было бы предпочтительнее использовать обычный алюминий или его сплавы, однако малые геометрические размеры проводников и большие плотности токов исключили такую возможность. Большой выполненный объем исследований показал, что для этой цели подходит вольфрам, который имеет несколько большее по сравнению с алюминием сопротивление, но зато легко обрабатывается методом сухого травления, позволяя получать линии шириной до 1,5 мкм, и не подвержен электромиграции. Кроме того, вольфрам хорошо травится даже на участках, пересекающих крутые и резкие ступеньки на поверхности кристалла.

В качестве материала для второго слоя металлизации сначала была выбрана система медь-кремний-алюминий, так как в этом слое минимальные геометрические размеры значительно больше и проблема электромиграции, казалось бы, не стоит. Однако она все-таки возникла, так как в небольших контактных окнах между первым и вторым слоями металлизации происходит растекание тока, способствующее миграции. Кроме того, применение разных металлов для разных слоев вызывает различие скоростей диффузии металлов, способствуя нарушению контактов между ними. Поэтому и второй слой металлизации был выполнен из вольфрама.

В результате всех этих технических решений и была создана новая n-МОП-технология компании HP — модифицированная технология n-канальных МОП-схем с кремниевыми затворами (см. «Технология n-МОП III с восемью фотолитографическими операциями»). Эта технология обеспечивает превосходную плотность упаковки, а следовательно, высокое быстродействие и малую удельную стоимость в пересчете на схемную функцию.

Проблемы и методы тестирования

Возможность тестирования этих плотноупакованных и насыщенных ИС не менее важна, чем возможность их изготовления. Применение обычных методов было просто невозможно. Обычные испытательные установки ценой около 1 млн. долл. позволяют работать со схемами с всего 120 внешними контактами на частоте 20 МГц, причем зачастую эти установки оказываются сложными в применении, дают мало диагностической информации о схеме и технологическом процессе и, что хуже всего, не позволяют разрабатывать схемы с быстродействием, превышающим их собственное. Другие распространенные методы тестирования ИС, например метод сквозного сдвигового регистра (опроса состояний элементов) и метод цифрового сигнатурного анализа, не дают информации о запасах работоспособности схем и параметрах технологического процесса и малопригодны для идентификации ошибок проектирования. Поэтому эти методы оказываются неоптимальными для СБИС.

Так как проблема тестирования входила в число главных проблем, то специалисты компании HP приняли на вооружение трехуровневую методику испытаний с помощью встроенных (входящих в состав кристалла) средств. На самом нижнем уровне этой иерархии для всех критических узлов кристалла в верхнем слое металлизации были сделаны контактные площадки размером 10*10 мкм для подключения микро- зондов. С помощью специальной зондовой установки с микроскопом (рис.3) обеспечивается доступ ко всем критичным внутренним сигнальным цепям кристалла, который позволяет определить рабочие характеристики важнейших схемных блоков. Эти примерно 300 тестовых контактных точек использовались главным образом для анализа и оценки запасов работоспособности кристаллов.

На каждом из кристаллов машины HP9000 имеется примерно по 300 специальных контактных площадок: размером 10*10 мкм для микрозондовых испытаний. Доступ
Рис.3. На каждом из кристаллов машины HP9000 имеется примерно по 300 специальных контактных площадок: размером 10*10 мкм для микрозондовых испытаний. Доступ к внутренним схемам кристалла осуществляется с помощью микрозондовой установки с микроскопом (на фотографии виден зонд, касающийся одной из таких площадок).

На втором уровне тестовой иерархии компания HP дополнила процессорные кристаллы диагностическим интерфейсным портом с пятью контактными площадками, который позволяет записать и считать данное из любого регистра кристалла, что дает возможность оперативно изменять поток управляющих сигналов. Доступ к данному встроенному отладочному средству осуществляется с помощью настольного компьютера HP9845, который преобразует такие команды высокого уровня, как «отображение содержимого 1-го регистра общего назначения», в соответствующие списки машинных команд, которые выполняют обращение к 1-му регистру и отображение его содержимого на экране. Таким образом, этот диагностический порт компьютера HP9000 в сочетании с машиной HP9845 позволяет выделять и исследовать отдельные схемы на кристалле при его работе на полной тактовой: частоте.

В компьютере HP9000 предусмотрен и третий уровень тестовой иерархии: средства самотестирования. Сразу после включения питания кристаллов в них происходит автоматическое выполнение тестовых алгоритмов. Для кристаллов ЦП и процессора ВВ эти алгоритмы выполняют проверку их работоспособности с доверительным уровнем 99%. Алгоритм самотестирования ЦП не только проверяет все внутренние блоки кристалла, но и позволяет убедиться, что данный кристалл, представляющий собой часть системы, нормально взаимодействует с памятью и процессором ВВ.

Средства третьего уровня тестовой иерархии быстро определяют, работает кристалл или нет. Дальнейший анализ неисправных кристаллов может быть выполнен с помощью диагностических портов кристалла. Тестирование собственно электрических узлов осуществляется через микрозондовые контактные площадки. Благодаря такому подходу специалисты компании HP могут надежно контролировать качество кристаллов и системы в целом, а также доводить до конца анализ технологического процесса, выявляя проблемы изготовления кристаллов по мере их возникновения. А те же средства самотестирования обеспечивают быстрое и надежное выявление неисправной детали или подсистемы при ремонте и поиске неисправностей в условиях эксплуатации.

Рабочие характеристики и выход годных схем непосредственно зависят от таких параметров как пороговое напряжение и толщина окисла. Для измерения примерно 130 значений этих параметров в процессе изготовления кристаллов в составе каждого кристалла предусмотрена специальная тестовая секция, содержащая 40 приборов. Специальная испытательная система, управляемая настольным компьютером, содержит в своем составе вольтметры, устройства формирования возбуждающих и измерения выходных сигналов, измерители емкости и другие измерительные средства.

Такая методика измерения параметров непосредственно в ходе изготовления кристаллов является оригинальной. Другие специалисты измеряют параметры путем проверки отдельных свойств материалов на тестовой пластине, а затем экстраполируют результаты измерений на готовые изделия. Подход компании HP позволяет измерять нужные параметры непосредственно реальной конкретной схемы.

Резервирование ЗУПВ

Для испытаний ЗУПВ и реализации алгоритма их резервирования применяется универсальная испытательная установка. После выявления неисправных строк, столбцов или отдельных разрядов памяти можно разрушить плавкие поликремниевые перемычки, которыми неисправные элементы подключены к матрице памяти, и заменить последние резервными исправными. Главная проблема при этом — надежное пережигание плавких перемычек.

Одна сложность состоит в том, что для пережигания перемычек требуется большой токовый импульс. После расплавления такие перемычки переходят в состояние вторичного пробоя (низкоомное состояние), и для окончательного их разрушения требуется очень большой ток. Но даже после расплавления перемычка может оказаться разрушенной неполностью. Эти и другие трудности заставили некоторых изготовителей перейти от электрических методов разрушения перемычек к лазерным.

Специалисты компании HP исследовали термические характеристики перемычек разной формы путем варьирования их размеров и моделирования на ЭВМ. В результате этих исследований была разработана новая форма фигурных перемычек, для разрушения которых требуется меньший ток. Данные исследования показали также, что окисные пленки, окружающие такую перемычку, плавятся при меньшей температуре, чем сам поликремний, и поэтому окисел иногда затекает в зоны разрушения перемычек и покрывает их концы изолирующим стеклом. Когда такой зазор получается слишком малым или в него затекает слишком малое количество окисла, тепловые напряжения могут в дальнейшем вызывать восстановление перемычек. Подобные ситуации можно выявлять путем измерения полного сопротивления перемычек после их пережигания. После измерений подозрительные кристаллы бракуются, и тем самым устраняется единственный известный механизм отказов кристаллов.

Высококачественный метод сборки и монтажа

У кристалла ЦП имеется 83 внешних контактных площадки, у контроллера памяти — около 120. На печатной плате для таких кристаллов должно быть предусмотрено большое количество контактных областей и сделаны тонкие соединительные проводники. Расстояния между кристаллами должны быть очень короткими, так как все кристаллы работают на тактовой частоте 18 МГц. Длинные соединительные проводники могут вызывать смещения тактовых сигналов и паразитные задержки.

При конструировании системы возникают два противоречивых требования: с одной стороны, необходимо предусмотреть достаточно большую поверхность теплоотвода и расстояние между кристаллами, что позволило бы эффективно передавать выделяемое ими тепло; с другой — необходимо разместить кристаллы как можно ближе друг к другу и сделать соединительные проводники тонкими и короткими, чтобы обеспечить высокое быстродействие системы и разводку ее многоконтактных кристаллов. Эти противоречивые требования специалисты компании HP сумели удовлетворить благодаря оригинальной конструкции подложки, которую они называли «подложка-радиатор». Такая подложка при небольших размерах (127*178 мм) обеспечивает эффективные теплопередачу и размещение всех межкристальных соединений. Ее название обусловлено тем, что подложка одновременно выполняет функции радиатора охлаждения и монтажной опорной подложки.

Подложки-радиаторы устанавливаются горизонтально друг над другом. Воздушный поток подается в горизонтальном направлении вдоль поверхности каждой из них, рассеивая до 18 Вт мощности. Подложка-радиатор имеет девяти-слойную структуру (рис.4). В ее центре находится медная опорная пластина, выполняющая функцию теплоотвода. Кристаллы крепятся непосредственно к ней с помощью тонкого слоя электропроводного эпоксидного клея. Этот слой подложки, подключенный к источнику питания напряжением —2 В, служит шиной напряжения обратного смещения подложки. Нанесенный на обе поверхности медной основы слой фторопласта отделяет ее от первых проводящих слоев на каждой ее стороне (всего таких проводящих слоев на каждой стороне подложки два). Завершают эту девятислойную структуру еще два слоя фторопласта (по одному на каждой стороне) и два проводящих слоя (также по одному на каждой стороне).

Подложки-радиаторы размером 127*178 мм представляют собой многослойные печатные платы оригинальной конструкции, специально разработанные для плотно-уп
Рис.4. Подложки-радиаторы размером 127*178 мм представляют собой многослойные печатные платы оригинальной конструкции, специально разработанные для плотно-упакованных схем компьютера HP9000. Эти платы одновременно служат подложками для кристаллов и имеют в своем составе радиаторные пластины, выполняющие функцию теплоотводящих элементов. Платы устанавливаются в машинах горизонтально.

Для нанесения на медную подложку и проводящие слои пленок фторопласта компания HP разработала собственную оригинальную технологию, которая обеспечивает крепление фторопласта исключительно в результате механической обработки. Один из приемов надежного крепления фторопласта к медным проводникам заключается в том, чтобы сделать поверхность меди более шероховатой. Для этой цели она покрывается шероховатым слоем золота. Каждый из слоев структуры формируется по очереди, так что сначала на обе стороны подложки накладываются первые два слоя фторопласта, и затем структура формируется с помощью нагрева и механического сжатия. После этого на поверхность фторопласта ваносятся два первых проводящих слоя, которые затем травятся и сверлятся.

Для создания следующих двух слоев требуется такой тип фторопласта, который плавится при более низкой температуре, чем фторопласт первых слоев. (Фторопласт представляет собой термопластичный полимер, поэтому при повторном яагреве подложки-радиатора до достаточно высокой температуры он будет плавиться.) На следующем этапе наносится вторая пара проводящих слоев и выполняются их травление и лазерное сверление. Изолированные сквозные контактные отверстия делаются путем высверливания отверстия, заполнения его фторопластом и последующего сверления отверстия меньшего диаметра, которое затем металлизируется. Такие методы позволяют получать соединения между внешними и внутренними проводящими слоями, не затрагивая центральную медную подложку.

Подложки-радиаторы в сборе вставляются в панель с шиной памяти и процессора — соединительную системную панель. Эта шина с пропускной способностью 36 Мбит/с содержит 44 линии — 32 для адресов и данных и 12 для сигналов управления. Ее большая полоса пропускания позволяет подключать к ней сразу несколько ЦП.

Надежность системы

В состав каждой подложки-радиатора входят самотестируемые кристаллы, которые выполняют большой объем диагностических операций при включении питания и выводят все обнаруженные ошибки на светодиодный индикатор. Платы памяти выполняют оперативное исправление всех однобитовых ошибок путем замены неправильного слова памяти исправленным и записи этого исправленного слова в другую ячейку. При всех последующих обращениях по исходному адресу слова система автоматически обращается к соответствующему резервному регистру. Во время интервалов простоя системы ее ЦП выполняет профилактические действия — повторно записывает правильное слово по заданному адресу, если обнаруженная ошибка была связана со случайным сбоем.

Дочерние статьи:

Семейство рабочих станций автоматизированного конструирования, выполненное по совершенно новой технологии

Технология n-МОП III с восемью фотолитографическими операциями

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 56, No.19 (675), 1983г - пер. с англ. М.: Мир, 1983, стр.76

Electronics Vol.56 No.19 September 22, 1983 A McGraw-Hill Publication

Dana Seccombe, Joe Beyers, Gene Zeller. Personal mainframe's design shaped dense n-MOS technology, pp. 165—169.

Раздел: МЕТОДЫ, СХЕМЫ, АППАРАТУРА

Тема:     Вычислительная техника





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/HP/D19830922Elc039.shtml