Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Intel/N19860310Elc055.shtml

СППЗУ с временем выборки 110 нс

БИС СППЗУ емкостью 128К, характеризующиеся временем выборки 110 нс, имеют на 40 нс большее быстродействие, чем их предшественники. Новый прибор памяти, получивший обозначение 27128B-110V05, изготавливается по разработанной фирмой Intel технологии HMOS II-E. По утверждению представителей этой фирмы, уменьшение размеров кристалла дало возможность снизить время выборки, хотя размер активной зоны запоминающего элемента СППЗУ остался прежним. Достигнуто это благодаря тому, что технология HMOS II-E позволяет исключить неиспользуемые области матрицы СППЗУ. Новый прибор памяти, смонтированный в 28-выводном керамическом корпусе типа DIP с кварцевым окошком для программирования, стоит 13,30 долл. за экземпляр в партиях по 1000 шт. [No.9, р.64].

Intel Corp., Literature Dept W-278,
3065 Bowers Ave., Santa Clara, Calif. 95051

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 59, No.05 (738), 1986г - пер. с англ. М.: Мир, 1986, стр.112

Electronics Vol.59 No.09 March 03, 1986 A McGraw-Hill Publication

Electronics Vol.59 No.10 March 10, 1986 A McGraw-Hill Publication

Раздел: НОВЫЕ ИЗДЕЛИЯ

Тема:     Запоминающие устройства





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Intel/N19860310Elc055.shtml