Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Intel/N19880811Elc032.shtml

Первые «быстрые» ЭСППЗУ компании Intel, облегчающие внутрисхемное перепрограммирование устройств энергонезависимой памяти

Бернард К. Коул
Редакция Electronics

Компанией Intel Corp. разработаны и выпущены «быстрые» ЭСППЗУ емкостью 64К и 256К с одновременным параллельным стиранием, имеющие времена выборки всего 150 нс. Приборы памяти предназначены для встроенных устройств управления, к которым затруднен доступ.

Первые «быстрые» электрически стираемые ППЗУ компании Intel Corp. (Санта-Клара, шт.Калифорния) имеют времена выборки всего 150 нс и содержат специальные схемные блоки, заметно упрощающие перепрограммирование памяти в различных встроенных электронных устройствах с затрудненным доступом к платам памяти.

Помимо обычного режима программирования при помощи внешнего программатора ППЗУ в приборе памяти 57F64 емкостью 64К предусмотрен режим внутрисхемного программирования при напряжении питания 5 В. Входы сигналов включения кристалла и включения выхода этого ЗУ рассчитаны на стандартные логические уровни. В результате приборы памяти, установленные в панельки или припаянные на печатные платы, можно стирать и программировать через краевой разъем, к которому подключается программатор ППЗУ или тестер схемных плат.

В ЭСППЗУ емкостью 256К — приборах 27F256 и 28F256 — реализованы новые регистры команд, которые непосредственно совместимы с интерфейсами записи большинства микроконтроллеров. В этой конструкции подача 12-В сигнала на контакт программирования позволяет выполнить все функции, связанные с изменением содержимого памяти, путем «общения» с ЗУ через регистр команд. Эти команды записываются в ЗУ посредством стандартных микропроцессорных циклов записи.

Управление. Класс «быстрых» ЭСППЗУ ориентирован на применение во встроенных устройствах управления, где центральный процессор системы эпизодически обновляет управляющие программы в течение всего срока службы изделия. Для новых приборов памяти компании Intel гарантируется долговечность, составляющая 100 циклов программирования-стирания. Ричард Пашли, генеральный управляющий отделения «быстрых» ЭСППЗУ компании Intel (Фолсом, шт.Калифорния), говорит, что частота отказов при перепрограммировании составляет менее 0,01%. В настоящее время компания разрабатывает прибор памяти, рассчитанный на 100 тыс. циклов перепрограммирования.

«Быстрые» ЭСППЗУ построены на основе сочетания механизма записи информации горячими электронами, используемого в СППЗУ с УФ-стиранием, и механизма туннельного стирания холодными электронами, используемого в традиционных ЭСППЗУ. Благодаря этому они отличаются высокой плотностью упаковки и возможность о внутрисхемного электрического стирания и перепрограммирования1{Электроника, 1988, №5, «Обозрение электронной техники»}. Компания Intel реализовала все эти основные возможности, прежде всего используя свою оригинальную технологию СППЛУ с туннельным окислом.

Новые кристаллы памяти созданы компанией Intel в рамках ее широкомасштабной стратегии, нацеленной на завоевание рынка сбыта встроенных устройств управления (см. в этом номере «БИС встроенных процессоров-контроллеров — новое серьезное направление деятельности компании Intel»).

Чтобы дополнительно повысить эффективность применения своих приборов во встроенных устройствах управления, компания ввела в состав своих «быстрых» ЭСППЗУ оригинальные алгоритмы быстрого программирования и стирания. С помощью нового алгоритма быстрого стирания Quick-erase типовое время стирания содержимого «быстрых» ЭСППЗУ сделано меньшим 1 с, тогда как для СППЗУ с УФ-стиранием этот показатель составляет от 10 до 20 мин. Посредством оригинального алгоритма программирования Quick-pulse перепрограммирование приборов памяти выполняется менее чем за 4 с.

Пашли говорит, что благодаря быстрому стиранию и перепрограммированию новые приборы обеспечивают значительную экономию времени и затрат для изготовителей встроенных устройств управления, при реализации которых на базе СППЗУ не хватает функциональной гибкости. Например, в некоторых таких устройствах требуется прибор памяти, позволяющий обновлять программы или параметры или накапливать некоторые данные в системе.

Приборы емкостью 256К, изготовленные по фирменной 1,5-мкм технологии CHMOS-IIE, имеют времена выборки 170 и 250 нс; прибор емкостью 64К выпускается с временами выборки 150 и 250 нс. Пашли говорит, что при таком быстродействии обеспечивается исключение состояний ожидания при совместной работе ЗУ с большинством 8- и 16-разрядных микроконтроллеров.

В партиях по 1000 шт. приборы емкостью 256К стоят 29,90 долл. за штуку при времени выборки 170 нс и 22,00 долл. при времени выборки 250 нс. Прибор емкостью 64К стоит 12,00 долл. при времени выборки 150 нс и 10,00 долл. при 250-нс быстродействии. ИС 28F256 и 27F64 уже выпускаются серийно, ИС 27F256 — только опытными партиями [No.8, р.103].

Intel Corp., Literature Department, W-424,
3065 Bowers Ave. Santa Clara, Calif. 95051

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 61, No.08 (790), 1988г - пер. с англ. М.: Мир, 1988, стр.58

Electronics Vol.61 No.08 April 14, 1988 VNU Business Publication Inc.

Раздел: НОВЫЕ ИЗДЕЛИЯ

Тема:     Полупроводниковая техника





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Intel/N19880811Elc032.shtml