Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Intel/S19790301Elc054.shtml

Сверхбыстродействующие МОП ЗУ

Кейпис
Редакция Electronics

Описаны новые статические ЗУ с произвольной выборкой емкостью 1К и 4К фирмы Intel, изготовленные по высококачественной МОП-технологии и превосходящие аналогичные биполярные приборы как по быстродействию, так и по мощности.

С момента выпуска в 1972г. 1-кбит ЗУ с произвольной выборкой типа 2102 компания Intel Corp. постоянно стремилась к созданию МОП-приборов памяти, способных конкурировать по быстродействию с биполярными ЗУПВ. И вот теперь, когда эта компания из Санта-Клары (шт.Калифорния) уже вышла на первое место среди изготовителей МОП-приборов благодаря своей высококачественной МОП-технологии, создав наиболее быстродействующие статические приборы памяти емкостью 1К и 4К — прибор 2115А с временем выборки 45 нс и прибор 2147 с временем выборки 55 нс, ее специалисты разработали приборы 2115Н и 2147Н с гарантированными временами выборки 20 и 35 не соответственно. Оба эти прибора превосходят по быстродействию соответствующие конкурирующие биполярные ЗУ.

ЗУПВ 2115Н емкостью 1КХ1 бит, как и предшествующие модели серии 2115, совместимо по разводке выводов с прибором 93415А фирмы Fairchild Camera and Instrument Corp., который является стандартным для отрасли 1-К биполярным ЗУПВ. Но, как видно из таблицы, МОП ЗУ 2115Н-3, представляющее собой аналог 30-нс прибора фирмы Fairchild, при одинаковом с ним быстродействии рассеивает меньшую мощность. Однако главной новинкой является прибор 2115Н-1, который при почти такой же рассеиваемой мощности, как у прибора 93415А, имеет максимальное время выборки 20 нс. Это первый случай, когда МОП ЗУ имеет паспортное значение времени выборки меньше, чем биполярное ЗУ, на смену которому оно выпускается.

В изготавливаемых по технологии H-MOS II новых приборах памяти длины каналов транзисторов уменьшены до 2 мкм, а толщина затворного окисла — до 40 нм. Это позволило уменьшить паразитные емкости и увеличить возбуждающие токи без повышения потребляемой мощности. Задержки вентилей в этих приборах составляют всего 400 пс, а величина произведения мощность*задержка — 0,5 пДж. В шеститранзисторных запоминающих элементах, на которых построены новые ЗУ фирмы Intel, использованы обедненные нагрузки, а сами эти элементы занимают площадь всего около 1900 мкм2 каждый.

Сравнительные данные по ЗУПВ емкостью 1024*1 бит

Параметр

Биполярное ЗУ

МОП ЗУ

93415A

2115H-1

2115H-3

Максимальное время выборки по адресу, нс

30

20

30

Максимальная рассеиваемая мощность, мВт

814

656

525

Выходной втекающий ток, мА

16

Корпус

Стандартный 16-контактный

Источник: фирмы Intel и Fairchild

ЗУ 2115Н выпускается в четырех модификациях — с временами выборки 20, 25 и 35 нс при рассеиваемой мощности 656 мВт и с временем выборки 30 не при мощности 525 мВт. Очевидно, что выпуск этих ЗУ нанесет серьезный удар по изготовителям биполярных ЗУПВ, которые сейчас концентрируют свои основные усилия на уменьшении рассеиваемой их приборами мощности. «Теперь им придется не только снижать мощность своих ЗУ, — заявил Кокс, управляющий маркетингом в отделении компонентов памяти фирмы Intel (Алоха, шт.Орегон), — но и заняться повышением их быстродействия».

Действительно, последнее усовершенствование выпускаемых фирмой Fairchild биполярных ЗУПВ емкостью 1К и 4К относилось к уменьшению потребляемой ими мощности. Приборы 93L415 (это ЗУ выпускается также фирмой Signetics под шифром 82L510) и 93L471 потребляют примерно на одну треть меньшую мощность, но при этом имеют более низкое быстродействие: для всех этих приборов паспортные времена выборки составляют 45 нс.

В настоящее время одна крупная полупроводниковая компания уже признала «вторжение» МОП-приборов на территорию биполярных приборов памяти состоявшимся фактом: фирма National Semiconductor Corp. аннулировала свои планы поставок приборов 93415 и собирается вместо этого направить все усилия на создание ЭСЛ ЗУПВ, которые будут иметь времена выборки 10 не и лучше. Однако Бэрон, управляющий отделением биполярных ЗУ фирмы National, которое выпускает ЗУПВ и программируемые ПЗУ, считает, что даже ЭСЛ-приборы не гарантированы от посягательств со стороны МОП-приборов: «Фактически единственные в настоящий момент биполярные приборы памяти, для которых можно не опасаться конкуренции со стороны МОП-приборов, — это ПЗУ с плавкими перемычками».

ЗУ 2147Н фирмы Intel представляет собой более быстродействующую модель 55-нс прибора 2147, выпущенного впервые этой компанией в середине 1977г. Новый прибор емкостью 4096*1 бит будет выпускаться в двух модификациях: 2147Н-2 с максимальным временем выборки 35 нс и 2147Н-3 с временем выборки 45 нс. Максимальная рассеиваемая мощность в режиме обращения для обеих модификаций одинакова и равна 945 мВт, а при переходе в режим хранения через один цикл после прекращения выборки кристалла эта мощность снижается до 158 мВт. В ЗУ 93471 фирмы Fairchild, которое постоянно рассеивает мощность 89о мВт, такой переход вообще невозможен. Это обстоятельство делает новое МОП ЗУ особенно ценным при построении больших систем памяти, в которых в любой момент времени большинство приборов памяти находится в невыбранном состоянии; в результате этого сокращение потребляемой в системе мощности может, по данным фирмы Intel, достигать 85%. Опытные образцы приборов 2115Н и 2147Н поставляются уже в настоящее время. Крупносерийные поставки 1-К приборов через оптовиков начнутся в апреле 1979 г., 4-К приборов — в мае 1979г. Цены на оба типа ЗУ сообщаются по запросу [р.156].

Intel Corp. 3065 Bowers Ave.,
Santa Clara, Calif. 94301

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 52, No.05 (557), 1979г - пер. с англ. М.: Мир, 1979, стр.83

Electronics Vol.52 No.5 March 1, 1979 A. McGraw-Hill Publication

Раздел: КОМПОНЕНТЫ, ПРИБОРЫ, СИСТЕМЫ

Тема:     Запоминающие устройства





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Intel/S19790301Elc054.shtml