Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Intel/S19840806Elc097.shtml

ЭСППЗУ емкостью 512K

Электрически стираемые ППЗУ 27512 и 27513 изготовлены по технологии H-MOS П-Е и имеют время выборки 300 нс. Прибор 27513 емкостью 512К имеет режим страничной адресации, позволяющий увеличить емкость памяти в системах на базе микроконтроллеров и 8-разрядных микропроцессоров, тогда как в приборе 27512 использован обычный вариант адресации.

Без режима страничной адресации применение одного кристалла памяти емкостью 512К исчерпывает все возможности адресации 8-разрядных микропроцессоров и 8- и 16-разрядных микроконтроллеров, не оставляя возможности для подключения к системе таких дополнительных приборов памяти, как ЗУ с произвольной выборкой. Использованная в ЗУ схема страничной адресации разделяет ЗУ на четыре блока по 16К байт, каждый из которых можно адресовать индивидуально.

В обоих ЭСППЗУ емкостью 512К использован фирменный «разумный алгоритм программирования, ускоряющий программирование кристаллов памяти. Типовое время программирования каждого из этих кристаллов составляет менее 6 мин.

Приборы памяти стоят 140 долл. и уже имеются в свободной продаже [№.15, pp.158,160].

Intel Corp., Lit Dept. No. W14,
3065 Bowers Ave., Santa Clara, Calif. 95051

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 57, No.15 (696), 1984г - пер. с англ. М.: Мир, 1984, стр.127

ElectronicsWeek Vol.57 No.15 July 23, 1984 A McGraw-Hill Publication

ElectronicsWeek Vol.57 No.17 August 06, 1984 A McGraw-Hill Publication

Раздел: КОМПОНЕНТЫ, ПРИБОРЫ, СИСТЕМЫ

Тема:     Запоминающие устройства





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Intel/S19840806Elc097.shtml