Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Intel/Y19790426Elc101.shtml

Новое поколение высококачественных МОП ЗУ

Фирма Intel Corp. начала выпуск нового поколения высококачественных статических МОП ЗУ с произвольной выборкой по своей патентованной технологии HMOS II. Эти приборы превосходят по быстродействию биполярные ЗУПВ, а также приборы предыдущего поколения, изготавливаемые по технологии HMOS. В результате разработчики систем памяти получают МОП ЗУ с невиданным ранее быстродействием, малой потребляемой мощностью и свойственными МОП-технологии экономичностью и надежностью. Новые приборы фирмы Intel емкостью 1К и 4К полностью совместимы (как по разводке выводов, так и функционально) с выпускаемыми в течение нескольких лет ЗУ 2115А/2125А и 2147, прошедшими успешную проверку временем.

Динамика роста быстродействия. Предпринимаемые фирмой Intel непрерывные усовершенствования технологии обеспечили удвоение быстродействия МОП ЗУ каждые
Динамика роста быстродействия. Предпринимаемые фирмой Intel непрерывные усовершенствования технологии обеспечили удвоение быстродействия МОП ЗУ каждые два года. Приведенный график иллюстрирует это утверждение на примере статических ЗУПВ емкостью 1К*1 бит.

ЗУПВ 2115Н/2125Н емкостью 1К, выполненные в 16-контактных корпусах, представляют собой идеальные компоненты для устройств памяти типа кэш, перезаписываемых устройств управляющей памяти и устройств буферной памяти. Две модели этого ЗУ имеют рекордные времена выборки — 20 и 25 нс, а по величине произведения быстродействие * мощность вдвое превосходят более медленные биполярные ЗУПВ. Модели с временами выборки 35 и 30 нс (последняя к тому же с пониженным потреблением мощности) можно использовать для непосредственной замены биполярных ЗУПВ 93415А. Такая замена дает сокращение рассеиваемой мощности на 36%. Все указанные МОП-приборы уже имеются в свободной продаже.

ЗУПВ 2147Н емкостью 4К, выполненное в 18-контактном корпусе, обладает всеми достоинствами широко известного прибора 2147 и при точно такой же потребляемой мощности имеет вдвое большее быстродействие. Оно предназначено для широкого применения в буферной и кэшевой памяти и основных ОЗУ вычислительных машин. Замена этими приборами приборов памяти емкостью 1К позволяет при сохранении прежнего быстродействия обеспечить четырехкратное увеличение информационной емкости или уменьшение площади схемных плат.

Применение приборов 2147Н, имеющих относительно небольшую рассеиваемую мощность в режиме обращения и автоматически переключающихся в режим хранения с малым потреблением мощности по сигналу выбора кристалла, означает также возможность резкого уменьшения мощности, потребляемой системами памяти. Экономия мощности при этом получается тем больше, чем выше информационная емкость системы. Все это обеспечивает упрощение конструкции устройств памяти и значительную экономию затрат на охлаждение и источники питания.

Характеристики быстродействующих статических ЗУПВ, изготавливаемых по технологии HMOS II

Тип прибора

Максимальное время выборки, нс

Ток питания, мА*

Режим обращения

Режим хранения

4096*1 бит

 

 

 

2147Н-1

35

180

30

2147Н-2

45

180

30

1024*1 бит**

 

 

 

2125Н-1

20

125

125

2115Н-2

20

125

125

2125Н-2

25

125

125

2115Н-3

30

100

100

2125Н-3

30

100

100

2115Н-4

35

125

125

2125Н-4

35

125

125

* Во всем рабочем температурном диапазоне от 0 до 75° С.
** У всех моделей 2125Н — выходные каскады с разомкнутым стоком, у всех моделей 2115Н — выходные каскады на три состояния

Все компоненты памяти, изготавливаемые по технологии HMOS II, являются полностью статическими, и их можно использовать как в тактируемых, так и в нетактируемых системах. Эти компоненты полностью совместимы с ТТЛ ИС во всех отношениях: по входам, выходам и питанию (для их работы требуется одно напряжение питания +5 В) [р.19].

Intel Corporation, 3065 Bowers Avenue,
Santa Clara, CA 95051

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 52, No.09 (561), 1979г - пер. с англ. М.: Мир, 1979, стр.116

Electronics Vol.52 No.8 Aprilh 26, 1979 A. McGraw-Hill Publication

Раздел: РЕКЛАМНЫЕ СООБЩЕНИЯ

Тема:     Запоминающие устройства





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Intel/Y19790426Elc101.shtml