Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/NEC/B19881028Elc018.shtml

Компания NEC исследует новые полиимидные диэлектрики для 16-мбит динамических ЗУПВ

Токио. Прежде чем появятся на рынке новые поколения динамических ЗУ с произвольной выборкой (речь идет о приборах памяти емкостью 4 и 16 Мбит), необходимо решить массу задач, связанных со сверхвысокой плотностью упаковки данных кристаллов, в том числе проблем субмикронных размеров элементов. Одно из наиболее серьезных препятствий на этом пути — это необходимость выбора диэлектрического материала, разделяющего слои многоуровневой соединительной металлизации на кристаллах памяти.

В настоящее время группа японских исследователей считает, что ей удалось найти решение данной проблемы. Эти специалисты из исследовательской лаборатории компании NEC Corp. разработали материал, который, по их мнению, сумеет превзойти по своим параметрам все используемые сегодня межслойные диэлектрики. Речь идет о новой полиимидной силоксановой пленке.

Новый материал, созданный ими совместно со специалистами компании Chisso Corp., содержит трехмерную структуру из двуокиси кремния, которая придает ему повышенную устойчивость при высоких температурах по сравнению с обычными полиимидными пленками. У нового материала отсутствует резкий скачок коэффициента теплового расширения при 300°С, свойственный обычным полиимидным пленкам. Более того, ток утечки нового материала при 200°С примерно в 10 раз меньше.

Новый пленочный материал также препятствует образованию бугорков на алюминиевой металлизации в процессе изготовления ИС и имеет более высокую прочность по сравнению с обычным полиимидом. Кроме того, он обладает хорошей адгезией к алюминию, двуокиси и нитриду кремния. Это позволяет пассивировать готовые кристаллы пленками нитрида кремния, химически осаждаемого из газовой фазы, который обеспечивает высокую надежность приборов в пластмассовых корпусах.

Хотя новый материал предназначен главным образом для динамических ЗУПВ по сверхвысокой плотностью упаковки, первое практическое применение он, как предполагается, найдет в относительно несложных биполярных ИС для бытовой электроники. Затем его будут применять в производстве плотноупакованных вентильных матриц [No.13, p.52N].

Чарлз Л. Коэн

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 61, No.14-15 (795), 1988г - пер. с англ. М.: Мир, 1988, стр.23

Electronics Vol.61 No.13 July, 1988 VNU Business Publication Inc.

Раздел: ЭЛЕКТРОНИКА ЗА РУБЕЖОМ

Тема:     Запоминающие устройства





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/NEC/B19881028Elc018.shtml