Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/NEC/Z19820714Elc107.shtml

ЗУПВ с тремя уровнями поликремния

Фирма Nippon Electric Co. приступила к массовой отгрузке заказчикам варианта ЗУПВ емкостью 64К с уменьшенными размерами кристалла, изготавливаемого по технологии с тремя уровнями поликремния по 2,5-мкм проектным нормам. Технология с тремя слоями поликремния подобна той, которую применяет фирма National Semiconductor Corp.1{Электроника1982, №13, «Обозрениеэлектронной техники»}, она позволяет получать сверхмалые для ЗУПВ такой емкости кристаллы площадью 20,6 мм2. Третий уровень поликремния служит в качестве разрядной линии, а числовые линии выполнены из алюминия. Емкость между вторым и третьим слоями поликремния увеличивает емкость запоминающего элемента, и тому же способствует малая толщина — всего 20 нм — слоя двуокиси кремния, используемого в качестве диэлектрика запоминающего конденсатора. Несмотря на малые размеры запоминающего элемента, составляющие всего 7,125*16,5 мкм, надежная работа ЗУПВ обеспечивается без необходимости снабжать кристалл размером 3,39*6,03 мм покрытием для защиты от воздействия альфа-частиц. Выпускаются приборы с максимальными временами выборки 120, 150 и 200 нc [р.80].

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 55, No.14 (644), 1982г - пер. с англ. М.: Мир, 1982, стр.101

Electronics Vol.55 No.14 July 14, 1982 A McGraw-Hill Publication

Раздел: ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ

Тема:     Япония





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/NEC/Z19820714Elc107.shtml