Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Philips/Z19790329Elc124.shtml

Быстродействующие арсенид-галлиевые схемы

Хотя фирма RTC-La Radiotechnique-Compelec едва только освоила серийное производство ЭСЛ-микросхем серии 100-К, обеспечивающих время распространения 0,75нс1{Электроника, 1979, №6, «Последние новости»}, исследовательская и разрабатывающая фирма Laboratories d'Electronique et de Physique Appliquee, входящая в состав той же группы NV Philips Gloei-lampenfabrieken, уже работает над созданием второго поколения арсенид-галлиевых микросхем, обладающих еще большим быстродействием. Арсенид-галлиевые полевые транзисторы первого поколения, разработанные этой фирмой, имеют время задержки на логический вентиль от 65 до 150 пс. Однако потребляемая мощность у них сравнительно большая — до 50 мВт при высокой скорости работы. Поскольку эти схемы перспективны лишь для приложений, в которых число логических вентилей невелико, фирма LEP приступила к работе над вторым поколением схем, у которых потребление мощности было бы достаточно мало, чтобы их можно было применять в микросхемах высокой сложности. Уже первые опыты создания арсенид-галлиевых полевых транзисторов на основе ионного легирования позволили создать вентиль ИЛИ-НЕ с коэффициентом разветвления 2, который при потребляемой мощности 13,5 мВт обеспечивает время распространения 102 пс. Специалисты фирмы LEP полагают, что им удастся заметно уменьшить потребляемую мощность, лишь немного потеряв в быстродействии [р.65.]

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 52, No.07 (559), 1979г - пер. с англ. М.: Мир, 1979, стр.109

Electronics Vol.52 No.7 March 29, 1979 A McGraw-Hill Publication

Раздел: ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ

Тема:     Франция





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Philips/Z19790329Elc124.shtml