Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Philips/Z19840126Elc117.shtml

Новый метод выращивания GaAs с плотностью дислокаций 100 см-2

В лаборатории электроники и прикладной физики разработан метод выращивания GaAs-кристаллов с малой плотностью дислокаций или: вообще без них, который, вероятно, позволит повысить надежность приборов и ИС. Эта лаборатория — главное научно-исследовательское подразделение компании Philips во Франции — установила, что легирование кристаллов изоэлектронными примесями элементов III и V групп при их вытягивании из расплава в герметичном объеме позволяет получать GaAs с плотностью дислокаций не более 100 см-2. При вытягивании из расплава в герметичном объеме по методу Чохральского получается плотность дислокаций от 104 до 105 см-2, по методу Бридж-мена, который дает небольшие яйцевидные кристаллы неправильной формы, — порядка 103см-2. Хотя принципиальных ограничений на размер кристаллов в новом методе нет, лаборатории пока удалось получить 5-см кристаллы, содержащие порядка 1019 атомов индия и почти без дислокаций. Специалисты этой лаборатории, находящейся в парижском пригороде Лимей-Бреван, говорят, что дислокации в GaAs-подложках ускоряют старение лазерных диодов и вызывают разбросы однородности вещества в полевых транзисторах, ухудшающие характеристики ИС [р.67].

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 57, No.02 (683), 1984г - пер. с англ. М.: Мир, 1984, стр.108

Electronics Vol.57 No.02 January 26, 1984 A McGraw-Hill Publication

Раздел: ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ

Тема:     Франция





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Philips/Z19840126Elc117.shtml