Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Plessey/X19840112Elc122.shtml

Планы использования GaAs-технологии фирмы Plessey

Мелвин Ларкин является технические директором отделения Engineering and Components фирмы Plessey Company Ltd., и уж ему-то хорошо известно, что очень часто английским инженерам не удавалось пожать коммерческие плоды созданных ими новинок — вместо них это делали американцы, а в последнее время японцы. Однако в отношении разработанной в фирме Plessey GaAs-технологии интегральных схем он полон решимости завершить историю по-иному.

В ближайшие пять лет фирма вложит 70 млн. долл. в организацию проектно-конструкторских и производственных предприятий для этих ИС, с тем чтобы перевести их из стадии исследований в стадию коммерческого прои шодства и опередить большинство конкурентов. В целях получения на рынках различных стран плодов от внедрения новой GaAs-технологии и ей подобных Ларкин создает новый филиал фирмы Plessey Three —Five Group Ld.1{Электроника, 1983, №25, «Последние новости»}.

Первая в мире арсенид-галлиевая ИС была разработана в 1974г. в Исследовательском центре Аллена Кларка (Кэсуэлл, граф. Нортгемптоншир) фирмы Plessey. Хотя эта схема представляла собой сравнительно простой однокаскадный усилитель, она дала представление о потенциальных возможностях технологии и вдохновила сотрудников лаборатории на проведение дальнейших исследований.

По словам Ларкина, план фирмы состоит в первоначальной концентрации усилий на аналоговых ИС. Он считает, что становление технологии схем данного класса произойдет значительно быстрее, чем технологии арсенид-галлиевых цифровых ИС. В частности, возникают большие производственные потребности в военных применениях, в области оптической и спутниковой связи. При этом на пред-производственной стадии в фирме Plessey находятся усилители, фазовращатели, переключатели и умножители, работающие на частотах до 20 ГГц.

Из вышесказанного не следует, что фирма не будет уделять внимания цифровым ИС. Однако по мнению специалистов Исследовательского центра им. Аллена Кларка (центр зарекомендовал себя как непревзойденный мастер по выжиманию высоких показателей из кремниевой технологии), где-то в конце 1980-х годов арсенид-галлиевые ИС с биполярными транзисторами с гетеропереходами вытеснят кремниевые ИС.

Значительную часть своей трудовой деятельности Ларкин провел в исследовательских лабораториях полупроводниковой промышленности США и потому лучше многих других понимает задачу, за решение которой берется фирма Plessey. После окончания Лондонского университета со степенью бакалавра физики Ларкин «отправился» за докторской степенью в области электротехники в учебное заведение, известное сейчас как Университет Карнеги — Меллона (Питтсбург, шт. Пенсильвания). Впоследствии он принимал участие в первой исследовательской программе по микроэлектронике, проводившейся фирмой Westinghouse Electric Corp. (Питтсбург) при содействии министерства ВВС США. Позднее Ларкин занимался исследованиями, разработками и производством изделий микроэлектроники в фирмах TI, Westinghouse, Motorola и Plessey [p.1Е].

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 57, No.01 (682), 1984г - пер. с англ. М.: Мир, 1984, стр.139

Electronics Vol.57 No.01 January 12, 1984 A McGraw-Hill Publication

Раздел: РАЗНОЕ

Тема:     Люди и техника





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Plessey/X19840112Elc122.shtml