Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Plessey/Z19790329Elc122.shtml

Биполярная технология с ионным легированием

В исследовательском центре Аллена Кларка (Кэсуэлл, Нортантс), принадлежащем фирме Plessey Ltd., разработана новая технология производства маломощных микросхем, позволившая объединить на одном кристалле все компоненты, требующиеся для высококачественной обработки сигналов в таких приборах, как, например, аналого-цифровые преобразователи. Технология позволяет формировать планарные pnp- и npn-транзисторы, а также n-канальные плоскостные полевые транзисторы на основе широкого использования ионного легирования. Полоса единичного усиления fT для npn-транзистора равна 2 ГГц, а для pnp-транзистора превышает 200 МГц — почти в 20 раз больше, чем достижимо в обычном pnp-приборе с горизонтальной структурой. Новая технология разработана,чтобы удовлетворить одно из военных требований, которое фирма-изготовитель не называет. Ее можно было бы применить для создания комплементарных приборов коммерческого назначения, способных выполнять функции линейной обработки сигнала, реализуемые ныне лишь в многокристальных гибридных БИС. Однако маловероятно, что фирма Plessey обладает достаточными ресурсами, чтобы развивать это направление [р.66].

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 52, No.07 (559), 1979г - пер. с англ. М.: Мир, 1979, стр.108

Electronics Vol.52 No.7 March 29, 1979 A McGraw-Hill Publication

Раздел: ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ

Тема:     Великобритания





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Plessey/Z19790329Elc122.shtml