Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/RCA/Z19860714Elc141.shtml

Новая технология полевых транзисторов с уменьшенной толщиной затворного окисла

Фирма RCA Corp. разработала и запатентовала процесс осаждения затворного окисла, что позволило ей вдвое уменьшить толщину слоя окисла в мощных полупроводниковых приборах, которые она называет полевыми транзисторами логического уровня (logic-level FET—L2FET). Малая толщина (50 нм) слоя окисла приводит к тому, что L2FET-приборами можно управлять, подавая на затвор импульсы напряжением 5 В, а не 10 В, которые обычно требуются для подобных приборов. Об этом сообщил Джек Войславович, технический руководитель по применениям мощных приборов в полупроводником отделении (Сомервилл, шт.Нью-Джерси) фирмы RCA. В результате новые приборы оказываются совместимыми с ТТЛ и КМОП ИС, причем исключается необходимость в большей части интерфейсных схем, которые обычно применяются в комплекте с «разумными» мощными приборами. Специалисты фирмы RCA не раскрывают деталей нового процесса осаждения. Как сообщает Пол Томас, ответственный за контроль продукции в подразделениях фирмы, выпускающих полузаказные ИС, спрос на «разумные» мощные приборы все еще невелик, главным образом оттого, что, по мнению заказчиков, надежность их оставляет желать лучшего. Однако руководители RCA надеются, что недавнее одобрение правительством (ее L2FET-приборы были включены в список изделий, допущенных к применению правительственными заказчиками) «вызовет доверие к прибору» и покажет коммерческим потребителям, что «он прошел все испытания» [No.21, р.9].

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 59, No.07 (740), 1986г - пер. с англ. М.: Мир, 1986, стр.128

Electronics Vol.59 No.13 Mart 31, 1986 A McGraw-Hill Publication

Electronics Vol.59 No.14 April 7, 1986 A McGraw-Hill Publication

Раздел: ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ

Тема:     США





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/RCA/Z19860714Elc141.shtml