Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Raytheon/A19840405Elc009.shtml

ППЗУ на основе аморфного кремния

Фирма Raytheon Co. планирует в середине 1984г. представить семейство быстродействующих программируемых ПЗУ, которые, как ожидается, станут первыми коммерческими приборами, построенными на оснхэве переключателей из аморфного кремния, взамен таких традиционных приборов, как ППЗУ с пережигаемыми металлическими перемычками. «Технология новых ППЗУ обеспечит значительное повышение плотности упаковки, позволяя изготавливать ячейки памяти размером, который в принципе мог бы составлять всего лишь половину размера ячеек традиционных ППЗУ», — сообщает Дэйвид Дэрдорф, руководитель производства СБИС и перспективных изделий в отделении полупроводниковых приборов (Маунтин-Вью, шт.Калифорния) фирмы Raytheon.

В новых ППЗУ будет использован так называемый метод «антипережигания», на применение которого получена лицензия у компании Energy Conversion Devices Inc. (Трои, шт.Мичиган). При таком подходе переключатель из аморфного кремния в каждой ячейке памяти действует как изолятор до момента приложения напряжения программирования, которое приводит к необратимому фазовому переходу, превращающему материал в кристаллический кремний; в результате последний становится проводником.

В этом заключается отличие от обычного метода, когда проводящие металлические перемычки или кремниевые лавинные диоды пережигаются или закорачиваются под воздействием напряжения программирования. Метод антипережигания аналогичен тому, который был использован начинающей фирмой Mosaic Systems Inc. (Трои, шт.Мичиган) также по лицензионному соглашению с компанией ECD при разработке межсоединений кристаллов на пластине и упаковке своих изделий1{Электроника, 1983, №19, с.5}.

Как отмечает Дэрдорф, повышение плотности упаковки при новой методике в первую очередь связано с тем, что переключатели из аморфного кремния могут быть расположены в ячейке памяти поверх диодов Шотки, а не вдоль поверхности, как пережигаемые элементы в других типах ячеек. По его словам, внешнее напряжение программирования для ППЗУ на, основе аморфного кремния лежит в том же диапазоне (от 10 до 20 В), который используется для программирования обычных ППЗУ, что позволяет программировать новые ЗУ на существующем оборудовании.

Дэрдорф также сообщает, что фирма Raytheon завершила более чем годовые испытания опытных 16-кбит кристаллов, которые показали высокий уровень надежности новой методики. Планируемое семейство новых ППЗУ будет включать микросхемы емкостью 64 кбит, которые будут конкурировать с выпускаемыми в настоящее время высококачественными биполярными ППЗУ с временами выборки от 40 до 50 нс. Отделение полупроводниковых приборов фирмы Raytheon в настоящее время продает обычные пережигаемые ППЗУ емкостью 16 и 32 кбит [р.54].

Уэсли Р. Иверсен

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 57, No.07 (688), 1984г - пер. с англ. М.: Мир, 1984, стр.12

Electronics Vol.57 No.07 April 5, 1984 A McGraw-Hill Publication

Раздел: ОБОЗРЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Тема:     Интегральные схемы





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Raytheon/A19840405Elc009.shtml