Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Raytheon/S19840924Elc114.shtml

Начат выпуск пластин из арсенида галлия, полученных эпитаксиальным выращиванием и ионным легированием

Начат выпуск пластин из арсенида галлия, полученных эпитаксиальным выращиванием и ионным легированием и предназначенных для производства самых разнообразных полупроводниковых приборов. Пластины с выращенным эпитаксиальным слоем для приборов с зарядовой связью, импатт-диодов, полевых транзисторов и ряда других приборов выпускаются диаметром 50,8 или 76,2 мм.

Использованный для получения высококачественных эпитаксиальных пленок метод осаждения из газовой фазы, разрабатывавшийся фирмой в течение ряда лет, обеспечивает превосходный контроль уровня легирования и толщины. Ионно-легированные арсенид-галлиевые пластины для изготовления транзисторов подвергаются бесколпаковому (capless) отжигу по разработанному фирмой методу, обеспечивающему высокую (80%) и равномерную активацию.

Цены пластин зависят от сформированных в них структур и их параметров, количества и размера заказанных пластин. Поставка обычно занимает от 4 до 6 нед с момента получения заказа [No.23, р.112].

Raytheon Co., 190 Willow St.,
Waltham, Mass. 02254

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 57, No.19 (700), 1984г - пер. с англ. М.: Мир, 1984, стр.104

ElectronicsWeek Vol.57 No.23 September 17, 1984 A McGraw-Hill Publication

ElectronicsWeek Vol.57 No.24 September 24, 1984 A McGraw-Hill Publication

Раздел: КОМПОНЕНТЫ, ПРИБОРЫ, СИСТЕМЫ

Тема:     Материалы





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Raytheon/S19840924Elc114.shtml