Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Siemens/A19841119Elc012.shtml

Борьба за рынок динамических ЗУПВ емкостью 256К

Если ориентироваться на «правила игры» мирового рынка полупроводниковых ЗУ, то может показаться, что для новой компании вступать сейчас в конкурентную борьбу за рынок динамических ЗУПВ емкостью 256К уже несколько поздновато. Ведь большинство японских изготовителей кристаллов памяти продают эти приборы уже в течение примерно года, а американские компании тоже готовы начать их поставки1{Электроника, 1984, №19, «Обозрение электронной техники»}.

Однако для компании Siemens AG (Мюнхен) это не причина считать себя побежденной. «Выйти на рынок с высококачественным изделием никогда не поздно»,— утверждает один руководящий работник объединения компонентов этой западногерманской компании. «Кроме того, пиковые годы для рынка сбыта ЗУПВ емкостью 256К еще впереди»,— добавляет он. (См. «Большому кристаллу—большой рынок сбыта».)

Несомненно, именно этими причинами объясняются крупные затраты этой компании на разработку динамического ЗУПВ емкостью 256К и ее планы развернуть серийное производство таких кристаллов памяти с весны 1985г. на новом заводе в Виллахе (Австрия). Таким образом, компания Siemens станет первым изготовителем кристаллов ИС в Европе, серийно выпускающим эти приборы памяти.

Новые кристаллы будут представлены в ноябре 1984г. в Мюнхене на выставке компонентов Electronica. Они предназначены как для продажи на товарном рынке, так и для внутреннего потребления подразделениями самой компании. Крупные поставки кристаллов должны начаться примерно с середины 1985г.

Динамическое ЗУПВ компании Siemens организовано в 262 144 одноразрядных слова и содержит на кристалле площадью 45 мм2 320 тыс. транзисторов и 260 тыс. других элементов. Предполагается выпускать два типа ЗУ — HYB41256 и HYB41257 со страничным и слоговым режимами доступа соответственно.

Каждый из типов будет выполняться в трех различных по быстродействию вариантах, соответствующих различным требованиям к скорости обмена данными. Для самой быстродействующей модели время выборки составляет 120 нс, за ней по этому показателю идет 150-нс модель, а для последней модели время выборки равно 200 нс. Соответствующие длительности циклов обращения составляют 220, 260 и 300 нс. В слоговом режиме по циклам считывания и записи соответствующие времена выборки равны 30, 40 и 50 нс.

Этот компонент с одним 5-В напряжением питания выпускается в стандартном для отрасли 16-контактном двухрядном корпусе и изготавливается по 2-мкм n-канальной МОП-технологии с кремниевыми затворами, в которой для повышения быстродействия используется танталовый полицид. Фирменное покрытие защищает кристалл памяти от воздействия альфа-частиц. В режиме обращения прибор потребляет мощность 385 мВт, в режиме хранения — 28 мВт.

«В нашем приборе применен ряд технических решений, которые, как мы считаем, обеспечивают ему хорошие конкурентные позиции на рынке»,— говорит Ганс Дж. Пенцел, генеральный управляющий по производству МОП-приборов в объединении компонентов компании. В их число входят специальная структура запоминающего элемента с повышенной электрической емкостью, силицидные затворы и резервирование с лазерным программированием. Кроме того, это будет одно из первых ЗУПВ емкостью 256К, которое с самого начала выпускается как в керамическом, так и в пластмассовом корпусе.

Большая емкость. Структура запоминающего элемента с большой электрической емкостью, выполненная с 20-нм затворным окислом и с применением глубокой имплантации бора, повышает величину отношения сигнал/помеха. Имплантированный бор увеличивает запоминающую емкость, улучшает изоляцию запоминающего элемента и образует отражательный барьер для диффундирующих электронов, генерируемых в подложке вдоль треков альфа-частиц.

В технологии силицидных затворов компании Siemens многослойная полицидная затворная структура формируется с помощью осаждения распылением пленки силицида тантала толщиной 200 нм на поверхность легированного фосфором поликремниевого слоя толщиной 300 нм. Такая структура, как объясняет Пенцел, позволяет повысить электропроводность разрядных линий в 10 раз, увеличивая быстродействие ЗУ.

Для повышения выхода годных в динамическом ЗУПВ емкостью 256К компании Siemens применено резервирование, обеспечиваемое восемью запасными строками и четырьмя запасными столбцами на кристалле. Для подключения этих резервных блоков к схеме используется лазерный импульс, который разрывает полицидные проводники в дешифраторах резервных строк и резервных столбцов.

При работе схемы в слоговом режиме обращения достигается очень высокая скорость обмена данными. Однако при организации циклов слогового обращения с малыми временными параметрами на системном уровне могут возникать определенные проблемы. Поэтому в ЗУ предусмотрена такая новая возможность, как сохранение в слоговом режиме действительных данных на выходе ЗУ от одной выборки до другой. Это обеспечивает вполне достаточное время для правильного считывания выходной информации даже при минимальных длительностях цикла [No.31, pp.24,28].

Джон Гош

Дочерние статьи:

Большому кристаллу — большой рынок сбыта

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 57, No.23 (704), 1984г - пер. с англ. М.: Мир, 1984, стр.17

ElectronicsWeek Vol.57 No.31 November 12, 1984 A McGraw-Hill Publication

ElectronicsWeek Vol.57 No.32 November 19, 1984 A McGraw-Hill Publication

Раздел: ОБОЗРЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Тема:     Запоминающие устройства





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Siemens/A19841119Elc012.shtml