Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Siemens/Y19880204Elc050.shtml

Мощные SIPMOS-транзисторы фирмы Siemens

Технология фирмы Siemens, получившая название SIPMOS (Siemens Power Metal Oxide Semiconductor technology — технология изготовления мощных полупроводниковых приборов фирмы Siemens),— последнее слово в области мощных транзисторов. Приборы типа SIPMOS способны переключать большие мощности, допускают простое включение в параллель, обладают чрезвычайно малыми регулируемыми временами переключения и линейными характеристиками. В этих приборах отсутствует вторичный пробой, они надежно защищены от перегрузок и характеризуются пренебрежимо малыми временами рассасывания.

Оригинальная особенность приборов SIPMOS заключается в том, что каждый из них объединяет до 100 000 параллельно включенных транзисторных ячеек, имеющих поликремниевые затворь, толщина которых плавно уменьшается к краям. Такая структура допускает прецизионное задание порогового напряжения. В результате достигается очень малый разброс параметров и, кроме того, сводится к минимуму разброс размеров элементов транзисторной структуры, что позволяет получить очень высокую плотность упаковки и малую длину каналов. Приборы отличаются высокой крутизной характеристики и малым сопротивлением во включенном состоянии [pp.54B,54С].

Siemens AG, Components Group,
Balanstrasse 73, D-8000 Munich 80

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 61, No.03 (785), 1988г - пер. с англ. М.: Мир, 1988, стр.81

Electronics Vol.61 No.03 February 4, 1988 A McGraw-Hill Publication

Раздел: РЕКЛАМНЫЕ СООБЩЕНИЯ

Тема:     Полупроводниковые приборы





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Siemens/Y19880204Elc050.shtml