Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Siemens/Z19880811Elc080.shtml

...И рекордный по быстродействию GaAs-транзистор

Согласно сообщению группы исследователей из Корнеллского университета (Итака, шт. Нью-Йорк) и лабораторий фирмы Siemens (Принстон, шт.Нью-Джерси), ими создан самый быстродействующий в мире арсенид-галлиевый транзистор, работающий на частоте 113 ГГц. Он выполнен по одному из вариантов технологии полевых транзисторов с модулированным легированием (ModFET) и содержит несколько слоев GaAs, легированного кремнием, и несколько слоев GaAs, легированного алюминием, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предыдущий рекорд частоты переключения для арсенид-галлиевых приборов был 80 ГГц [No.8, р.112].

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 61, No.08 (790), 1988г - пер. с англ. М.: Мир, 1988, стр.77

Electronics Vol.61 No.08 April 14, 1988 VNU Business Publication Inc.

Раздел: ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ

Тема:     Хроника





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Siemens/Z19880811Elc080.shtml