Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/TI/A19860812Elc002.shtml

Планы фирмы TI по расширению номенклатуры изделий гражданского назначения

Даллас. В фирме Texas Instruments Inc. (Даллас, шт.Техас) — одном из крупнейших изготовителей ИС — создается комитет из административных руководителей высокого ранга, перед которыми ставится задача — передать некоторые перспективные технологии изготовления полупроводниковых приборов из объединения военной техники, где они только и применяются, в другие отделения фирмы TI. Его задачи сформулированы в документе «Организация обмена военными компонентами внутри фирмы», который, как полагают, будет утвержден на ежегодном собрании акционеров фирмы TI в середине апреля 1986г. Основное назначение упомянутого документа — облегчить объединению полупроводниковых приборов фирмы TI выход на рынки арсенид-галлиевых ИС.

Все эти меры фирмы TI представляют собой, по существу, попытку перевернуть ставший уже привычным порядок, согласно которому полупроводниковые приборы в военную технику приходят из систем гражданского назначения. Дело в том, что, начиная с 1970-х годов, большинство ИС для систем оружия выходят на рынки военного оборудования лишь как варианты соответствующих коммерческих изделий. Правда, фирме TI и другим изготовителям ИС удалось сократить разрыв во времени между выпуском в продажу изделий военного и гражданского назначения. Однако некоторые новые технологии ИС военного назначения (в частности, GaAs ИС) не находят достаточно широкого применения в сфере гражданского производства, и промышленные фирмы не спешат с разработкой соответствующих приборов.

Документ об организации внутрифирменного обмена предусматривает передачу гражданским отделениям технологии изготовления источников питания для военного оборудования, а также кремниевых статических ЗУ. Однако самым важным шагом фирмы TI, который будет иметь наиболее серьезные последствия, явится, безусловно, ее выход на рынок сбыта ИС из арсенида галлия. Как считает Тед Уакайяма, вице-президент фирмы Strategic Inc. (Сан-Хосе, шт.Калифорния), занимающийся анализом положения дел в полупроводниковой промышленности, выход одного из крупнейших изготовителей ИС на этот находящийся пока в зародышевом состоянии рынок может сыграть решающую роль в завоевании доверия к приборам из GaAs со стороны потребителей, что позволит ускорить развитие этой перспективной технологии.

По данным фирмы Strategic, в 1985г. общий объем продаж ИС из арсенида галлия в США составил 80 млн. долл. На долю изделий военного назначения из этой суммы пришлось около 60 млн. долл. В 1990г. военное ведомство по-прежнему будет крупнейшим потребителем таких приборов. Из общего объема продаж, который, как предполагают, составит 850 млн. долл., на долю GaAs ИС военного назначения придется 300 млн. долл. Согласно прогнозам, высказанным Уакайямой, некоторые области применения этих изделий будут развиваться достаточно высокими темпами. К ним, в частности, относятся компоненты для перспективных компьютеров, на долю которых будет приходиться около 250 млн. долл. из общего объема продаж. В ближайшем будущем руководство фирмы TI намерено делать ставку на GaAs-приборы военного назначения. Как отмечалось в указании, разосланном в начале апреля 1986г. всем отделениям фирмы TI, цифровые и СВЧ интегральные схемы из GaAs, должны стать основой двух (из четырех) направлений ее технической политики в области комплектующих изделий, которая будет осуществляться объединением полупроводниковых приборов, военных систем и электроники, а также центральной научно-исследовательской лабораторией фирмы.

Третье направление технической политики фирмы TI связано с созданием источников питания для систем военного назначения. Стремясь превзойти своих конкурентов в области малогабаритных источников питания повышенной «энергетической» плотности для оборудования военного назначения1{Электроника, 1986, №6, «Обозрение электронной техники»}, фирма TI разработала целый ряд новых изделий, в том числе безвыводные кристаллоносители, малогабаритные магнитные устройства и конденсаторы для схем фильтров.

Четвертое направление предполагает сосредоточение усилий специалистов фирмы TI на быстродействующих статических ЗУПВ. Такие СЗУПВ будут создаваться по 1-мкм технологии КМОП ИС с улучшенными характеристиками, изготавливаемых методом ионной имплантации (EPIC)2{Электроника, 1982, №2, с.11.}.

Фирма TI разработала эту технологию для выпуска своих динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит. Представители руководства фирмы признают, что до совсем недавнего времени их фирма практически не уделяла внимания работам в области статических ЗУПВ, поскольку была всецело занята вопросами конкурентной борьбы с японскими компаниями в области динамических ЗУПВ. Документ об организации обмена изделиями между отделениями фирмы рекомендует использовать КМОП ИС с 1-мкм элементами вначале для создания 16-к бит статических ЗУПВ военного назначения, а затем для изделий этого типа емкостью 64 и 256 кбит.

Первоначально изготовлением GaAs-приборов, статических ЗУПВ и источников питания будет заниматься отдел изделий военного назначения, входящий в объединение полупроводниковых приборов (Мидленд, шт.Техас). Однако значительная часть соответствующего производственного оборудования останется в Далласе.

Работы фирмы TI в области GaAs-приборов базируются на научно-технических достижениях, которых в последние годы добились специалисты ее центральной научно-исследовательской лаборатории в Далласе. Как отмечают руководители этой лаборатории, самым важным было создание первого однокристального модуля для фазированной антенной решетки РЛС. Этот модуль выполнен на GaAs ИС и предназначен для работы в Х-диапазоне на частоте около 10 ГГц. По словам Джорджа Х. Хейлмайера, старшего вице-президента фирмы TI и ее главного технического директора, чтобы сделать это изделие пригодным для использования в системах военного назначения, требуется еще несколько лет работы.

Кроме того, фирма TI разработала несколько образцов биполярных вентильных матриц из GaAs с гетеропереходом. Одно из них содержит 4 тыс. вентилей и предназначается для использования как внутри фирмы, так и при работах по правительственным заказам. В 1985г. фирме TI удалось выиграть конкурс проектов и получить заказ от Управления перспективных НИОКР министерства обороны США на изготовление GaAs-микропроцессора для ЭВМ с сокращенным набором команд.

Специалисты фирмы TI исследуют также возможности сложных материалов, состоящих из GaAs в смеси с другими полупроводниками. Так, в кристаллах из GaAs, выращенных на 10-см кремниевых пластинах, были получены работающие биполярные и полевые транзисторы со структурой металл-полупроводник. На кристаллах из GaAs был выращен слой из теллурида ртути-кадмия. Предполагают, что в таких материалах можно будет объединить устройства формирования изображений и схемы обработки сигналов [No.15, pp.17,18].

Дж. Роберт Лайнбек

Дочерние статьи:

Фирма Wang Labs. снова под контролем «доктора» Ванга

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 59, No.08 (741), 1986г - пер. с англ. М.: Мир, 1986, стр.4

Electronics Vol.59 No.15 April 14, 1986 A McGraw-Hill Publication

Electronics Vol.59 No.16 April 21, 1986 A McGraw-Hill Publication

Раздел: ОБОЗРЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Тема:     Заказы и фирмы





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/TI/A19860812Elc002.shtml