Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/TI/D19840806Elc074.shtml

Переход к ЗУПВ емкостью 1 Мбит требует новых технических решений

УДК 681.327.2.025

Лайонел С. Уайт мл. (Lionel S. White Jr.)
Фирма Texas Instruments Inc. (Хьюстон, шт.Техас)

Грегори Дж.Армстронг (Gregory J. Amstrong)
Фирма Texas Instruments Inc. (Хьюстон, шт.Техас)

Г.Р.Мохан Рао (G. JR. Mohan Rao)
Фирма Texas Instruments Inc. (Хьюстон, шт.Техас)

Lionel S. White Jr., Gregory J. Amstrong, G. JR. Mohan Rao, 1 MB memories demand new design choices, No.15, pp.123—126.

Обсуждаются основные конструкторские и архитектурные решения для следующего поколения динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит. Уже достаточно очевидно, что разработчики этих приборов отдают предпочтение кристаллам с периферийными схемами, выполненными по К/МОП-технологии, и затворным электродам из тугоплавких металлов.

В течение последних нескольких лет среди всех видов цифровых.ИС наивысшими темпами роста плотности упаковки и информационной емкости и наиболее серьезными достижениями в схемотехнике характеризуются динамические ЗУ с произвольной выборкой. Сегодня, когда динамические ЗУПВ емкостью 64К стали стандартными компонентами систем компьютерной памяти и уже есть несколько систем, выполненных с применением динамических ЗУПВ емкостью 256К, конструкторы СБИС памяти прорабатывают во-лросы создания динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит и более. Хотя серийное производство таких илотноупакованных кристаллов начнется не раньше чем через несколько лет, научно-технические статьи и доклады по конструкции корпусов, рабочим характеристикам кристаллов и особенностям технологии их изготовления появляются и обсуждаются на конференциях во многих странах мира.

Одна из причин стремления заблаговременно решить вопросы, относящиеся к новому поколению ЗУПВ емкостью 1 Мбит, которые по информационней емкости превосходят динамические ЗУПВ емкостью 16К в 16 раз, а ЗУПВ емкостью 256К — в 4 раза, состоит в том, что новые приборы памяти обещают открыть перед разработчиками систем целый ряд важных дополнительных возможностей. Например, если в приборах емкостью 16К и в большинстве приборов емкостью 64К доминирует организация кристаллов с одноразрядными словами, то кристаллы емкостью 1 Мбит можно будет делать с 4-, 8- и 9-разрядными словами и с другими производными от них вариантами организации. Эту тенденцию усиливают и ускоряют создание таких ИС памяти, как многопортовые ЗУ, и предложения использовать кристаллы с 16-разрядными словами и мультиплексированными линиями адресов и данных. Поэтому в отличие от кристаллов памяти емкостью 16К. и многих кристаллов емкостью 64К монолитные ИС памяти емкостью 1 Мбит следует с самого начала рассматривать как целое семейство ИС памяти, а не просто как отдельные кристаллы.

Хотя ИС памяти емкостью 1 Мбит будут играть ведущую роль в основных ОЗУ универсальных ЭВМ и мини-компьютеров, они вместе с тем должны занять доминирующее положение и в системах памяти как для автоматизированных рабочих мест (АРМ), так и для настольных и портативных компьютеров. Если в портативном компьютере, применено ЗУ емкостью 1 Мбит с 8- или 9-бит (с битом контроля по четности) словами, то один такой кристалл сразу дает 128К байт основной памяти. В персональных компьютерах и АРМ вся основная память может состоять всего из 4 или 8 таких ИС (в зависимости от их организации). Поэтому стоимость систем памяти должна снизиться до весьма благоприятного уровня, а их полная емкость и надежность на системном уровне должны значительно возрасти.

Технические особенности

Еще до начала массового промышленного производства динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит разработчики систем должны быть информированы о тех их технических и конструктивных особенностях, которые будут влиять на конструкцию систем памяти. Во-первых, применяемые корпуса и варианты разводки их выводов изменят традиционно сложившуюся топологию печатных плат памяти, а сами ЗУ будут выпускаться в корпусах различных типов. Двухрядные корпуса для этих ЗУ будут иметь 18 (при 1-бит словах) или 20 (при 4-бит словах) внешних контактов, что означает отказ от общепринятых в настоящее время 16-контактных корпусов. Кроме того, межрядное расстояние (ширина) корпусов новых кристаллов будет составлять 7,62 или 10,16 мм — в зависимости как от ширины кристаллов ЗУПВ емкостью 1 Мбит, так и от развития технологии изготовления самих корпусов.

Другой важный вопрос касается режима работы динамического ЗУПВ емкостью 1 Мбит. Страничный режим выборки является стандартным для динамических ЗУПВ режимом работы уже в течение многих лет, однако слоговый режим, расширенный слоговый режим и новый режим статического дешифрирования столбцов обеспечивают дополнительные возможные режимы работы будущих кристаллов памяти. Все возрастающие потребности в плотноупакованных ИС памяти с такими новыми архитектурами, как статическое дешифрирование столбцов, должны поставить К/МОП-технологию на ведущее место в области производства динамических ЗУПВ. Действительно, К/МОП-технология имеет много преимуществ перед n-канальной МОП-технологией, в том числе меньшее потребление мощности; кроме того, базовые схемные решения в К/МОП-технологии проще, что сокращает сроки проектирования новых изделий. В настоящее время разработчики ИС памяти емкостью 1 Мбит рассматривают идею применения в них тактируемых К/МОП-схем, которые могут дополнительно снизить потребление мощности в режиме обращения по сравнению с обычными статическими К/МОП-схемами.

Так как для динамического ЗУПВ емкостью 1 Мбит требуется 17 внешних контактов (10 адресных, 2 информационных, 3 тактовых и 2 питания), то очевидно, что на смену обычным: 16-контактным двухрядным корпусам, в которых выпускаются динамические ЗУПВ емкостью 64К, должны прийти 18-контактные корпуса. Однако вопрос о функциональном назначении каждого из этих 18 контактов корпуса пока только обсуждается. В одном из вариантов разводки, который называется модернизацией разводки ЗУПВ емкостью 256К (рис.1), 8-й и 9-й контакты можно объединять, что позволит устанавливать в одну и ту же панельку динамические ЗУПВ емкостью как 256К, так и 1 Мбит. Преимущество такого варианта состоит в том, что потребитель может спроектировать свою систему памяти на базе кристаллов емкостью 1 Мбит. Если же он не сумеет достать эти кристаллы у своих поставщиков, то сможет вновь вернуться к динамическим ЗУПВ емкостью 256К, которые ко времени начала производства приборов памяти емкостью 1 Мбит уже станут массовыми, стандартными для промышленности компонентами памяти.

Усовершенствованный вариант разводки выводов ЗУПВ емкостью 256К (слева) позволяет устанавливать в. одну и ту же 18-контактную панельку двухрядные корп
Рис.1. Усовершенствованный вариант разводки выводов ЗУПВ емкостью 256К (слева) позволяет устанавливать в. одну и ту же 18-контактную панельку двухрядные корпуса с динамическими ЗУПВ емкостью как 256К, так и 1 Мбит. Однако для плат памяти лучше подходит другой вариант разводки (справа), в котором адресные линии отделены от управляющих линий и линий данных.

Вариант разводки, в котором адресные линии расположены отдельно от управляющих линий и линий данных, отличается от всех предшествующих вариантов разводки выводов динамических ЗУПВ. Он не совместим с модернизированным вариантом разводки ЗУПВ емкостью 256К, но зато упрощает топологию печатных плат памяти и снижает уровень помех, наводимых на управляющие линии. Оба варианта разводки будут пригодны для кристаллов памяти емкостью до 4 Мбит.

Помимо увеличения количества контактов корпуса для первых динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит могут потребоваться двухрядные корпуса шириной 10,16 мм вместо корпусов шириной 7,62 мм, в которых динамические ЗУПВ выпускаются все последнее десятилетие. Начиная с поколения динамических ЗУПВ емкостью 4К и кончая поколением кристаллов емкостью 256К, всегда было так, что в момент начала производства размер кристалла нового поколения приборов памяти оказывался больше кристалла предыдущего поколения на момент начала его производства. Если эта тенденция сохранится и для динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит, то корпус, достаточно надежно защищающий такой кристалл от внешних воздействий, возможно, должен будет иметь ширину 10,16 мм. Переход на корпус новой ширины отчасти зависит и от успехов в области совершенствования технологии сборки, используемой изготовителями ИС памяти.

Хотя до сих пор подавляющее большинство динамических ЗУПВ с высокой плотностью упаковки выпускалось в стандартных двухрядных корпусах, в настоящее время в стандартную технологию изготовления печатных плат и монтажа на них компонентов все шире проникают новые методы монтажа на поверхность. Поэтому вполне вероятно, что некоторые динамические ЗУПВ емкостью 1 Мбит будут выпускаться в миниатюризованном 26-контактном корпусе с J-образными выводами (рис.2). Дело в том, что применение такого корпуса позволяет повысить эффективность использования площади печатных плат. Например, в этом случае без каких-либо противоречий можно провести линии данных перпендикулярно адресным линиям и линиям сигналов синхронизации. Это идентично высокоэффективной топологии плат с обычными пластмассовыми двухрядными корпусами. Кроме того, разводку такого корпуса можно использовать и для керамического безвыводного носителя кристаллов, предназначенного для аппаратуры повышенной надежности. С другой стороны, для носителя кристаллов с четырехрядным расположением выводов, который также рассматривается как один из конкурирующих корпусов для динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит с монтажом на поверхность печатных плат, оказывается достаточно трудно разработать топологию плат с необходимой взаимной перпендикулярностью линий данных и адресных линий. Это обстоятельство влечет за собой непроизводительные затраты площади печатных плат. Определенный интерес с точки зрения дополнительного повышения плотности монтажа представляет корпус с однорядным расположением выводов, так как в таком корпусе с 24 контактами можно разместить ЗУ с 9-бит словами.

Малогабаритный корпус с J-образными выводами позволяет прокладывать печатные проводники как в продольном, так и в поперечном направлении в средней его
Рис.2. Малогабаритный корпус с J-образными выводами позволяет прокладывать печатные проводники как в продольном, так и в поперечном направлении в средней его части, что облегчает монтаж корпуса на печатных платах памяти.

Режимы работы ЗУ

Начиная со страничного режима работы, предложенного в 1970-х годах, количество возможных режимов работы динамических ЗУПВ продолжает непрерывно возрастать. Объясняется это тем, что разработчики ИС памяти ищут способы повышения производительности обработки данных и скорости обмена с системами памяти (рис.3). Различные возможные режимы работы динамических ЗУПВ — страничный, слоговый, расширенный слоговый и со статическим дешифрированием столбцов — открывают новые преимущества и возможности перед создателями систем, поэтому неудивительно, что в кристаллах емкостью 1 Мбит можно будет обнаружить все или часть этих режимов. Действительно, данная тенденция достаточно четко проявляется уже в динамических ЗУПВ емкостью 64К и 256К.

В страничном режиме скорость обмена увеличивается благодаря возможности многократной произвольной выборки битов в пределах выбранной строки памяти. В
Рис.3. В страничном режиме скорость обмена увеличивается благодаря возможности многократной произвольной выборки битов в пределах выбранной строки памяти. В слоговом режиме обеспечивается ускоренная выборка четырех соседних ячеек памяти. Режим многопортового доступа обеспечивает произвольную выборку любой ячейки ЗУПВ и одновременную последовательную выборку целой строки памяти.

Страничный режим обеспечивает произвольную выборку любого бита выбранной в данный момент времени строки. В каждом цикле строба адреса столбца в ЗУ (CAS) записывается новый адрес столбца, позволяя считать или записать некоторый отдельный бит. В этом режиме на входе строба адреса строки (RAS) постоянно сохраняется уровень логического 0. Преимущество страничного режима выборки заключается в том, что время цикла в этом режиме несколько меньше длительности одного цикла с управлением импульсом RAS, что повышает производительность или скорость обмена данными с системой памяти. Но хотя теоретическое повышение скорости обмена составляет около 40%, на практике оно оказывается значительно меньше из-за задержек, которые вносятся системными схемами управления. Кроме того, система памяти со страничным режимом выборки должна обеспечивать сложные временные диаграммы управляющих сигналов не в одном, а в двух разных режимах: в режиме одиночной выборки и в режиме многократной страничной выборки. Для многих разработчиков систем сравнение дополнительных затрат с получаемыми при этом преимуществами оказывается не в пользу страничного режима.

Слоговый режим, предусматривающий последовательную циклическую выборку группы из четырех битов, был предложен в 1981г. для повышения скорости обмена в системах памяти. Например, если в одном цикле выборки по адресу 80-й ячейки выполняется пять циклов слоговой выборки, то будут последовательно считаны 80, 81, 82, 83 и 80-я ячейка памяти. В типовом динамическом ЗУПВ емкостью 256К 512 бит, которые можно выбрать с помощью адресов столбцов, разделяются на 128 групп по 4 бит в каждой. Динамическое ЗУПВ с типовой длительностью цикла обращения по сигналу RAS 300 нс может иметь длительность цикла в слоговом режиме всего 75 нс. Однако четырехкратное на первый взгляд увеличение скорости обмена на деле оказывается только двукратным, если при расчете полного времени выборки слога учесть дополнительные затраты времени на выборку по сигналу RAS (150 нс) и время предзаряда для сигнала RAS (100 нс). Предельное теоретическое увеличение скорости обмена в слоговом режиме, равное 4:1, можно реализовать почти полностью с помощью методов чередования, если объем системы памяти достаточно велик и позволяет организовать такое чередование. Некоторые специалисты предложили увеличить количество битов в каждом внешнем цикле с первоначальных 4 до 8 или более, чтобы теоретическое 4-кратное увеличение скорости обмена в слоговом режиме можно было получать и в системах памяти минимального состава. Эти варианты получили название расширенных слоговых режимов, но они пока не приняты в качестве стандартных режимов работы ЗУ.

Слоговый режим до сих пор применялся преимущественно в видеосистемах, хотя известно также его применение в буферной памяти или в основной памяти для организации быстрой передачи данных в кэш-память. Возможно, что в будущих устройствах памяти для видеосистем ЗУ со слоговым режимом выборки будут заменены недавно выпущенными многопортовыми динамическими ЗУПВ, в которых одновременно обеспечиваются произвольная выборка ЗУПВ и последовательная выборка сразу целой его строки (256 бит). Такое ЗУ обеспечивает повышенную скорость обмена при регенерации изображения на видеодисплее и увеличивает время, доступное графическому контроллеру для обновления изображения на экране.

Статическое дешифрирование столбцов представляет собой последний из методов, предложенных для повышения скорости обмена в обычных динамических ЗУПВ с 1-бит словами. Этот режим отличается от всех прочих тем, что в той части цикла, которая задается сигналом CAS; кристалл памяти работает как статическое ЗУПВ. При обычной выборке отрицательный фронт импульса RAS осуществляет запись адреса строки и обеспечивает выборку строки запоминающих элементов (512 бит памяти в динамическом ЗУПВ емкостью 256К). Отрицательный фронт импульса CAS обеспечивает возможность статической произвольной выборки в пределах выбранной строки матрицы памяти. Режим статического дешифрирования столбцов отличается от режима работы обычного статического ЗУПВ только временной диаграммой управляющих сигналов в цикле записи. В динамическом ЗУПВ со статическим дешифрированием столбцов данные и адреса записываются во внутренние регистры на отрицательном фронте импульса разрешения записи, тогда как в типовом статическом ЗУПВ данные записываются во внутренний регистр на положительном фронте импульса разрешения записи, а адресные сигналы должны оставаться действительными в течение всей операции записи.

Проектирование динамического ЗУПВ со статическим дешифрированием столбцов на базе К/МОП-технологии имеет одно крупное преимущество. В течение части цикла обращения, относящейся режиму статической выборки, буферы адреса столбца, столбцовые дешифраторы и схемы ввода-вывода должны быть включены. Если все эти статические схемы выполнены по n-канальной МОП-технологии, то рассеиваемая в режиме сращения мощность может оказаться чрезмерной. Если же они выполнены по К/МОП-технолигии, то рассеиваемая в таком режиме обращения мощность будет не больше, чем в любых других активных режимах работы ЗУ. Применение статических столбцовых К/МОП-дешифраторов позволяет получить скорость обмена данными 25 МГц (40 нс/бит).

Переход на К/МОП-технологию

Главный фактор увеличения скорости обмена — это увеличение количества битов, выбираемых в течение одного цикла обращения по сигналу RAS. Для типовых динамических ЗУПВ максимальное допустимое время выдержки уровня логического 0 на входе составляет 10 мкс. Этот предел определялся в предыдущих поколениях динамических ЗУПВ двумя причинами. Во-первых, построение периферийных схем динамических ЗУПВ на динамических n-канальных МОП-схемах органичивало время выдержки уровня логического 0 на входе RAS вследствие необходимости периодической регенерации этих динамических схем. Во-вторых, большая часть времени испытаний современных динамических ЗУПВ затрачивается на тесты, связанные с регенерацией. Резкое увеличение времени выдержки логического 0 на входе RAS требует значительного увеличения продолжительности и стоимости испытаний этих кристаллов. Применение К/МОП-технологии для изготовления периферийных схем в новых динамических ЗУПВ снизит требования, предъявляемые к испытаниям периферийных схем на параметры регенерации. Следовательно, это позволит удлинить времена выдержки логического 0 на входе RAS без существенного повышения стоимости испытаний таких кристаллов памяти.

Тенденция к применению К/МОП-технологии при изготовлении высокоразвитых МОП ИС памяти в настоящее время уже обозначилась достаточно явно, а с появлением динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит К/МОП-технология должна оттеснить более традиционную n-канальную МОП-технологию на задний план. Как уже отмечалось, применение таких технических решений, как статические столбцовые К/МОП-дешифраторы, не только обеспечит значительное улучшение рабочих характеристик, но и упростит само проектирование динамических К/МОП ЗУПВ емкостью 1 Мбит, обеспечив тем самым сокращение длительности циклов проектирования этих изделий и более эффективное использование проектных ресурсов.

Главный фактор, стимулирующий применение К/МОП-технологии в производстве динамических ЗУПВ, касается выбора типа используемого в них запоминающего элемента. Сразу следует сказать, что разработчики ЗУ не предполагают каких-либо принципиальных изменений в схеме традиционного однотранзисторного запоминающего элемента, используемой в предыдущих поколениях динамических ЗУПВ. Однако, чтобы получить приемлемый размер схемного кристалла, многие поставщики динамических ЗУПВ разрабатывают запоминающий элемент с трехмерной структурой, в котором запоминающий конденсатор выполняется в глубокой полости (рис.4). Такие запоминающие элементы позволяют хранить заряд величиной примерно 0,25 пКл, которая обеспечивает приемлемый уровень невосприимчивости ЗУ к случайным сбоям под действием альфа-частиц, и вместе с тем имеют достаточно малый размер, допускающий создание кристаллов памяти емкостью 1 Мбит.

Для уменьшения площади кристаллов динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит используется этот запоминающий элемент с трехмерной структурой. Конденсатор элемен
Рис.4. Для уменьшения площади кристаллов динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит используется этот запоминающий элемент с трехмерной структурой. Конденсатор элемента выполнен в глубокой полости и позволяет хранить заряд величиной 0,25 пКл, обеспечивающий невосприимчивость ЗУ к случайным сбоям при ударах альфа-частиц.

Типовая К/МОП-технология позволяет использовать низкоомную подложку с выращенным сверху тонким высокоомным эпитаксиальным слоем. Одно из главных преимуществ подложки такой структуры заключается в том, что в сочетании с правильно расположенными охранными кольцами она позволяет значительно снизить свойственную К/МОП-приборам восприимчивость к защелкиванию. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое в некоторой степени определяется выбором конструкции самого запоминающего элемента. Некоторые изготовители ИС памяти исследовали возможность построения матрицы динамических запоминающих элементов на p-канальных приборах в кармане n-типа, чтобы повысить ее невосприимчивость к случайным сбоям, однако оказалось, что применение в базовом элементе динамического ЗУПВ конденсатора в глубокой полости создает серьезные трудности при реализации такой р-канальной матрицы с высокой плотностью упаковки, необходимой для динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит. Техническое решение, совместимое с трехмерными конденсаторами в глубоких полостях, предусматривает сохранение стандартного n-канального передаточного затвора в запоминающем элементе наряду с применением сильно, но равномерно легированного эпитаксиального поля. Повышенная концентрация примеси в эпитаксиальном слое подавляет токи утечки между соседними конденсаторами, возможные из-за сквозного обеднения в промежутке между ними.

При создании ЗУПВ емкостью 1 Мбит требуются и другие усовершенствования технологии. В частности, планируется существенное повышение электропроводности межсоединений затворного уровня. Промышленность уже начала постепенный переход от относительно высокоомного обычного легированного поликремния, используемого в качестве затворного материала, к значительно более низкоомным силицидам тугоплавких металлов. Чаще всего эти новые затворные структуры выполняются в виде «сандвичей» силицид—поликремний. Применение низкоомных материалов будет расширяться, так что при создании ЗУ емкостью 1 Мбит уже будут всерьез рассматриваться вопросы использования таких чистых тугоплавких металлов, как вольфрам и молибден. Конечно, еще рано говорить о внедрении чистых тугоплавких металлов в массовое производство динамических ЗУПВ, однако следует иметь в виду, что изготовленные из них затворные структуры могут иметь на два порядка меньшее поверхностное сопротивление по сравнению с обычными поликремниевыми затворами.

Специальные меры предосторожности

Изготовители ИС достаточно осторожно решают вопрос о возможном применении таких новых материалов, так как их технология значительно отличается от технологии поликремниевых затворов. Например, окислы вольфрама и молибдена при стандартных для МОП-технологии температурах обработки могут испаряться. Поэтому для защиты этих материалов в последующих технологических операциях требуются специальные меры предосторожности. Необходимо также очень тщательно исследовать долговременную надежность таких систем. Но все же вполне реальные преимущества в рабочих характеристиках, которые обеспечивают низкоомные чистые тугоплавкие металлы, могут в конечном счете заставить изготовителей высококачественных динамических К/МОП ЗУПВ применить эти материалы в своих изделиях.

Переход на низкоомные затворные соединительные слои требует одновременного поиска способов снижения сопротивления стоковых-истоковых диффузионных областей n- и p-типа. Необходимо, чтобы сопротивления затворного слоя и диффузионных областей истока-стока были хорошо согласованы между собой, иначе разработчикам схем не удастся в полной мере воспользоваться теми преимуществами, которые дают им новые технологии изготовления низкоомных затворных электродов. В технологии усовершенствованных динамических К/МОП ЗУПВ, возможно, потребуется предусмотреть нанесение на диффузионные области низкоомных шунтирующих покрытий посредством селективного осаждения на них тугоплавкого металла типа вольфрама или посредством селективных химических реакций тугоплавкого металла с диффузионными областями с образованием низкоомного слоя силицида этого тугоплавкого металла.

Такое использование металлов и их силицидов для формирования затворов и шунтирующих покрытий для диффузионных областей позволяет достаточно легко реализовать в ЗУ одноуровневую соединительную металлизацию, хотя оно не препятствует и применению двухуровневой металлизации. При окончательном выборе конкретный набор соединительных структур ЗУ будет определяться тем, насколько просто можно будет внедрить новые методы в технологию массового производства динамических ЗУПВ.

Хотя проектирование К/МОП-схем для динамических ЗУПВ может оказаться более простым, чем проектирование соответствующих n-канальных МОП-схем, технология их изготовления, скорее всего, окажется более сложной. Особенно это будет заметно в случае, если в данную технологию будут включены операции создания низкоомных межсоединений. Обычно сложность К/МОП-технологии превосходит сложность типовой n-канальной технологии изготовления МОП ЗУПВ примерно на 20%. Однако разработчики СБИС настроены достаточно оптимистично и надеются, что совмещение новых технологических методов позволит им свести к минимуму то дополнительное количество технологических операций, которое потребуется для технологии изготовления динамических К/МОП ЗУ с произвольной выборкой.

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 57, No.15 (696), 1984г - пер. с англ. М.: Мир, 1984, стр.111

ElectronicsWeek Vol.57 No.15 July 23, 1984 A McGraw-Hill Publication

ElectronicsWeek Vol.57 No.17 August 06, 1984 A McGraw-Hill Publication

Lionel S. White Jr., Gregory J. Amstrong, G. JR. Mohan Rao, 1 MB memories demand new design choices, No.15, pp.123—126.

Раздел: МЕТОДЫ, СХЕМЫ, АППАРАТУРА

Тема:     Запоминающие устройства





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/TI/D19840806Elc074.shtml