Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/TI/D19870909Elc018.shtml

Трудности практической реализации СППЗУ без контактных окон

Было время, когда разработчики новых стираемых ППЗУ с матрицей памяти без контактных окон, создававшихся в компании Texas Instruments Inc., были совсем не уверены, что им удастся довести новые приборы памяти до стадии промышленного освоения. Эти новые кристаллы представляют собой более экономичные, однако и значительно более сложные в техническом и технологическом отношении стираемые ППЗУ.

«То, что новая структура запоминающего элемента весьма привлекательна, было видно сразу, — говорит Прадип Шах, управляющий производством и сбытом СППЗУ и статических ЗУ. — Однако в ходе разработки приборов было время, когда нам казалось, что эту структуру не удастся реализовать в составе БИС памяти. В частности, нас беспокоил вопрос, позволят ли непрерывные скрытые разрядные линии n+-типа гарантировать надежное программирование элементов». Но инженеры компании TI продолжали упорно работать и смогли доказать, что новую конструкцию элемента действительно можно использовать в составе БИС памяти.

Шах высоко отзывается о коллективах разработчиков компании Texas Instruments из Далласа и Хьюстона, в число которых входят далласская лаборатория СБИС, возглавляемая Джимом Патерсоном, и хьюстонские конструкторская и технологическая группы во главе с Тимом Коффменом и Мансуром Гиллом соответственно. Базовая конструкция нового запоминающего элемента берет свои истоки от идеи, запатентованной в 1979г. Дэвидом Макелроем, научным сотрудником из группы Шаха.

Шах считает, что новая конструкция запоминающего элемента и технология его изготовления окажут существенное влияние на будущие рыночные позиции СППЗУ и отразятся на величине доли рынка энергонезависимых ЗУ, на которую СППЗУ смогут претендовать. Он говорит, что новая конструкция элемента открывает возможности значительного сокращения размера кристаллов памяти и полной стоимости СППЗУ, обеспечивая уменьшение площади кристаллов на одну треть по сравнению с обычными СППЗУ. «Она также делает стираемые ППЗУ более технологичными, поскольку мы убрали из них контактные окна для металлизации», — добавляет Шах. Он считает, что разработка новой структуры запоминающего элемента, получившей название матрицы памяти СППЗУ без контактных окон, поможет поднять годовой объем сбыта ЗУ с УФ-стиранием выше уровня в 1 млрд. долл.

Шах имеет степень почетного бакалавра электротехники Индийского технологического института и степень доктора философии по электротехнике в университете Раиса. Он поступил на работу в компанию TI в 1973г.— в лабораторию исследований и разработок полупроводниковых приборов. До начала своих работ в области полупроводниковых ЗУ он принимал участие в таких работах компании TI, как создание линейных КМОП-схем, КМОП-схем серии 74HC и КМОП-технологии с двумя уровнями металлизации и карманами обоих типов проводимости.

Родительская статья:

Матрицы запоминающих элементов СППЗУ без контактных окон

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 59, No.24 (757), 1986г - пер. с англ. М.: Мир, 1986, стр.38

Electronics Vol.59 No.36 November 27, 1986 A McGraw-Hill Publication

Раздел: МЕТОДЫ, СХЕМЫ, АППАРАТУРА

Тема:     Запоминающие устройства





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/TI/D19870909Elc018.shtml