Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/TI/D19871102Elc028.shtml

Монте Дуглас — разработчик технологии травления канавок

Можно сказать, что последние пять лет работы Монте Дугласа в фирме Texas Instruments Inc. в значительной мере «прошли в окопах» (английское слово trench, переведенное в данной статье словом «канавка» или «углубление», означает также «окоп»). Являясь одним из технических руководителей лаборатории процессов полупроводниковой технологии фирмы TI в Далласе, он впервые разработал технологию вытравливания в кремнии глубоких канавок для усовершенствованных динамических ЗУПВ, биполярных ИС, СППЗУ и других КМОП ИС.

Дугласу 31 год, он получил степень бакалавра наук по химии в Уэслианском университете штата Небраска и степень доктора физической химии в Университете Раиса. У него имеется более 15 патентов (уже выданных и таких, на которые подана заявка). В фирме TI он также занимается разработкой новых плазмохимических процессов и созданием реакторных установок для сухого травления различных новых материалов, необходимых для создания СБИС. В настоящее время он разрабатывает методы сухого травления локальных межсоединений на основе силицидов, используемых в усовершенствованных статических ЗУПВ.

Работа Дугласа в области технологии травления канавок в немалой степени способствовала созданию динамических ЗУПВ емкостью 4 Мбит и, по словам Грега Армстронга, помощника директора лаборатории, будет играть важную роль при создании будущих УБИС. Он говорит: «Проблема в случае больших динамических ЗУПВ заключается в том, чтобы разместить конденсаторы достаточно большой емкости на сравнительно небольшом кристалле. Единственным путем для этого является наращивание плотности упаковки кристалла в вертикальном направлении».

Углубления уже используются в выпускаемых фирмой TI динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит. Армстронг говорит: «Для этих кристаллов углубления должны быть глубиной всего лишь 3—4 мкм. При емкости 4 Мбит их глубина должна составлять 7—9 мкм. При такой глубине контроль профиля углубления становится действительно сложной задачей». Однако он полагает, что техника селективного осаждения продуктов травления на боковых стенках углубления, которую фирма TI успешно использует при изготовлении динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит, поможет в решении указанной задачи.

Родительская статья:

Начало производства ИС с глубокими канавками, разработанных фирмой TI

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 60, No.14 (772), 1987г - пер. с англ. М.: Мир, 1987, стр.39

Electronics Vol.60 No.14 July 9, 1987 A McGraw-Hill Publication

Раздел: МЕТОДЫ, СХЕМЫ, АППАРАТУРА

Тема:     Измерительное оборудование





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/TI/D19871102Elc028.shtml