Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/TI/D19880303Elc034.shtml

1-Мбит СППЗУ компании TI на основе матрицы памяти без контактных окон

УДК 681.327.68

Самьюэл Уэбер (Samuel Weber)
Редакция Electronics

Samuel Weber. TI's 1-Mbit EPROM to use contactless array, p.81.

Год назад компания Texas Instruments Inc. объявила о возможности создания дешевых матриц памяти с повышенной плотностью упаковки для стираемых ППЗУ на базе своей структуры бесконтактных запоминающих элементов на пересечениях проводников (структуры ACE2{Электроника, 1986, №24, с.34}). Сейчас эта компания сообщает, что характеристики экспериментальных кристаллов СППЗУ на базе ACE-структур, изготовленных за прошедший год, оказались настолько высокими, что она уже готовится запустить в производство целое семейство СППЗУ емкостью 1 Мбит на базе своей новой технологии. Прадип Шах, управляющий разработкой перспективных энергонезависимых приборов памяти в отделении МОП ЗУ компании TI (Хьюстон), говорит, что новые СППЗУ появятся на рынке уже в I квартале 1988г.

Бесконтактная ACE-структура матрицы памяти решает проблему использования металлических контактов к запоминающим элементам матрицы памяти, самоизолированным от подложки. Вместо таких контактов доступ к элементам осуществляется через скрытые разрядные линии n+- типа и ортогональные им полицидные словарные линии. Изоляцию между разрядными и словарными линиями образует слой толстого окисла, выращенный поверх этого n+-слоя. Изоляция соседних разрядных линий друг от друга формируется путем ионной имплантации. На деле компания TI все же частично использует металлизацию, которая дает снижение последовательного сопротивления разрядных линий. Однако Шах говорит, что предполагаемое дальнейшее совершенствование характеристик полицидов позволит компании вообще отказаться от металлических проводников в матрице.

Первое изделие компании — прибор TMS27C210 емкостью 64К*16 бит, который в настоящее время проходит квалификационные испытания. Этот прибор памяти пока еще нельзя рассматривать как подтверждение обещанных перспектив повышения плотности упаковки: при площади кристалла 55,5 мм2 он почти не отличается по указанному параметру от обычных СППЗУ емкостью 1 Мбит. Однако Шах подчеркивает, что этот кристалл будет изготавливаться по технологии с относительно умеренными 1,5-мкм проектными нормами, тогда как сходные с ним по емкости и площади конкурирующие приборы памяти делаются с 1,2-мкм нормами. Говоря о стоимости, Шах отмечает, что ACE-технология обладает серьезными перспективами для значительного уменьшения площади кристалла, что играет важную роль для сокращения его стоимости. Цены на новые приборы памяти пока не установлены. Компания TI разрабатывает также модель TMS27C010 с организацией 128К*8 бит.

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 60, No.22 (780), 1987г - пер. с англ. М.: Мир, 1987, стр.39

Electronics Vol.60 No.22 October 29, 1987 A McGraw-Hill Publication

Samuel Weber. TI's 1-Mbit EPROM to use contactless array, p.81.

Раздел: МЕТОДЫ, СХЕМЫ, АППАРАТУРА

Тема:     По следам публикации





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/TI/D19880303Elc034.shtml