Правильная ссылка на эту страницу
http://az-design.ru/Support/HardWare/Thomson-CSF/Z19820728Elc091.shtml

Изготовление лазеров путем эпитаксии из паровой фазы

Инженеры центральной исследовательской лаборатории фирмы Thomson-CSF, расположенной в парижском пригороде Корбевилль, утверждают, что ими твердо установлено: эпитаксия из паровой фазы способна дать при изготовлении полупроводниковых лазеров столь же благоприятные результаты, как и эпитаксия из жидкой фазы. Причина такого заявления ясна: им удалось изготовить успешно работающие образцы диодных лазеров с переменным показателем преломления излучающие на волне 1,5 мкм, а также низкопороговый, с улучшенным индексом рефракции лазер с гетероструктурой, работающий на длине волны 0,85 мкм: в обоих случаях лазеры изготовлены методом эпитаксии из паровой фазы. Один из образцов первого типа уже проработал в непрерывном режиме свыше 5 тыс. ч при неизменном пороговом токе 180 мА. У лазера второго типа среднее значение плотности порогового тока уменьшено более чем в два раза по сравнению со стандартным лазером с двойной гетероструктурой [р.63].

Выходные данные:

Журнал "Электроника" том 55, No.15 (645), 1982г - пер. с англ. М.: Мир, 1982, стр.101

Electronics Vol.55 No.15 July 28, 1982 A McGraw-Hill Publication

Раздел: ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ

Тема:     Франция





Дата последнего изменения:
Thursday, 21-Aug-2014 09:10:44 MSK


Постоянный адрес статьи:
http://az-design.ru/Support/HardWare/Thomson-CSF/Z19820728Elc091.shtml